삼성전자, 메모리 진화...‘256GB 3DS RDIMM’·‘6세대 V낸드’ 등 공개

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삼성전자, 메모리 진화...‘256GB 3DS RDIMM’·‘6세대 V낸드’ 등 공개

디지털데일리 발행일 2018-10-18 10:38:19

신현석

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17일 (현지 시간) 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 주최한 '삼성 테크 데이 2018'에서 미주 지역총괄 최주선 부사장이 개회사를 하고 있다.(사진=삼성전자)

[디지털데일리 신현석기자] 삼성전자의 메모리가 계속 진화하고 있다. 미국에서 256GB 3DS RDIMM, 6세대 V낸드 기술 등을 새로 선보였다. 메모리 고점 논란이 불거지는 가운데, 파운드리 등 비메모리 사업을 강화하면서도 기존 주력인 메모리 반도체에서도 세계 선도적 위치를 재확인시켜줬다는 평가가 나온다.

17일(현지시각) 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 있는 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 ‘삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018’을 개최하고 메모리 새 제품 및 기술을 대거 공개했다.

이날 공개된 제품과 기술은 서버용 ‘256GB 3DS RDIMM’, 엔터프라이즈향 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD, 6세대 V낸드 기술, 2세대 Z-SSD 등이다.

특히 세계에서 처음 공개된 ‘256GB 3DS RDIMM’은 차세대 초고성능·초고용량 ‘리얼 타임 어낼리시스(Real Time Analysis) 및 인메모리 데이터베이스’ 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다. 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb DDR4 D램을 탑재해 기존 ‘128GB RDIMM’ 대비 용량은 2배로 확대하고 소비전력효율은 30% 개선했다.

3DS RDIMM은 실리콘 3D 적층 기술을 활용해 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램 모듈이다. 4비트(QLC)는 1개의 셀(Cell)에 2진수 4자리 데이터를 담는 기술로 3비트(TLC)에서 4비트(QLC)로 바꾸면 동일 칩 크기에서 저장 용량을 약 33% 늘릴 수 있다. 인메모리 데이터베이스는 중앙처리장치의 정보를 처리하는 메인메모리(주기억장치)에 초대용량 데이터를 저장해 처리 속도를 높이는 기술이다.

메모리 D램 개발실 장성진 부사장은 “작년 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급(1y) D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어, 업계 최초 256GB DIMM 양산, LPDDR5, GDDR6 및 HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다”라고 말했다.

아울러 엔터프라이즈 스토리지 향 7.68TB 4비트 서버 SSD를 공개하며, 지난 8월 출시한 소비자 향 4TB 4비트 PC SSD 모델에 이어 기업용 SSD시장까지 4비트 V낸드 제품의 사업 범위를 확대할 방침이다. 성능을 대폭 높인 512Gb 4비트 V낸드와 MLC(2비트, Multi Level Cell) 설계를 통해 용량을 2배 늘린 2세대 Z-NAND(SLC 128Gb, MLC 256Gb) 등 미래 낸드 기술의 개발 방향을 제시했다.

메모리 FLASH 개발실 경계현 부사장은 “초고속·최단 응답·저전압 설계기술이 적용된 업계 최초 5세대 V낸드 개발로 초격차 기술 리더십을 확보한 데 이어, 내년 양산 예정인 6세대 V낸드 역시 기존 ‘1-Stack’의 극한 연장과 신개념 설계를 통해 3비트 V낸드 역대 최고 성능을 구현할 계획”이라고 밝혔다.

메모리 솔루션 개발실 정재헌 부사장은 “5세대 V낸드 기반으로 다양한 임베디드 스토리지와 SSD 등 차별화된 라인업을 적기에 출시해 시장 성장을 선도하고 있다”라며, 4배 용량으로 가격효율을 2배 높인 2세대 Z-SSD와 신뢰성과 성능을 향상시킨 4비트 서버 SSD 라인업을 공개했다.

또한 빅데이터에 특화된 KV(Key Value) SSD, 인공지능(AI) 머신러닝용 SmartSSD, 고속 Network용 SSD와 스토리지를 결합한 NVMeoF(NVME over Fabric) SSD 등 새로운 솔루션을 제공해 다양한 고객들과의 오픈 이노베이션을 확대해 나갈 예정이다.

상품기획팀 한진만 전무는 “HBM2 D램 사용으로 클라우드 AI에서 최대 성능은 6배 향상됐고, 비용측면에서도 8배의 절감 효과가 있다”라고 밝혔다. 향후 GDDR6 그래픽 D램, LPDDR5 모바일 D램이 차세대 시스템에 탑재되면서 5G, Edge 서버 컴퓨팅 등 새로운 프리미엄 시장을 지속 창출할 것으로 예상했다.

향후에도 차세대 IT 시장에 최적화된 메모리 기술을 선행 개발해 나가는 한편 평택 라인에서 V낸드와 D램 양산 규모를 지속 확대해 고객 수요에도 적극 대응할 계획이다.

한편, 삼성전자는 이날 행사에서 EUV(극자외선) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노미터(nm) 공정(LPP) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.

<신현석 기자>shs11@ddaily.co.kr