반도체 불황 정면돌파…삼성 ‘18나노 D램’·하이닉스 ‘3D 낸드’

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반도체 불황 정면돌파…삼성 ‘18나노 D램’·하이닉스 ‘3D 낸드’

디지털데일리 발행일 2016-04-03 13:54:07

이수환

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PC, 스마트폰 등 전방산업 수요 부진 속에서 삼성전자, SK하이닉스가 미세공정 경쟁력 강화를 통해 원가절감에 나섰다.

전반적인 글로벌 거시 경제 위축에 따른 수요 둔화가 이어지는 불황을 정면으로 돌파하겠다는 것이 핵심이다.

먼저 삼성전자는 18나노 D램 양산을 본격화했다. 당초 올해 2분기부터 이뤄질 것으로 전망됐으나 일부 고객사에 샘플을 공급한 것으로 전해졌다. 18나노 D램의 램프업(생산량 확대)이 여름경에 이뤄질 것으로 예상되는 만큼 국내외 협력 업체의 장비 발주도 진작 이뤄졌다고 봐야 한다.

삼성전자가 18나노 D램을 양산했다는 것은 기존 20나노 제품과 비교해 20~30% 가량 원가를 낮췄다고 보면 된다. 반도체 소자 업체의 경쟁력은 ‘더 빨리 원가를 낮추는 것’이다. 반도체 원가를 낮추는 방법은 웨이퍼 한 장에서 뽑아낼 수 있는 칩의 수를 늘리는 것이다. 칩 수를 늘리려면 회로 패턴을 보다 미세하게 형성할 수 있어야 한다. 그러니까 고집적을 통해 칩 크기를 줄여야 한다는 의미다. 칩 크기가 줄어들면 전력 소모량이 낮아지고 성능은 더 높아진다.

SK하이닉스는 20나노 초반대 공정 비중을 늘리고 있다. 올해 생산하는 D램의 대부분을 20나노 공정으로 전환한다는 계획이다. 이미 1분기에 램프업이 진행된 상태다. 주문제작 제품인 모바일과 그래픽처리장치(GPU)에 쓰이는 20나노 제품은 2분기에 램프업이 예정되어 있다. 오는 4분기에는 모든 애플리케이션 제품이 20나노로 전환된다는 얘기다. 1× 나노 D램은 개발도 진행중에 있으며 내년 초에는 양산이 가능할 것으로 보인다.

플래시 메모리는 삼성전자가 연내 64단 3D 낸드플래시 생산에 도전한다. 이미 48단 3D 낸드플래시를 양산하고 있고 작년 4분기 낸드플래시 시장점유율에서 33.60%로 압도적인 1위를 달리고 있는 만큼 후발업체와의 격차를 더 벌리는데 초점을 맞추고 있다.

SK하이닉스도 올해 3월부터 36단 3D 낸드플래시 양산에 들어갔다. 투입된 웨이퍼는 이달 초에 제품으로 완성되며 올 하반기에는 46단 제품 생산도 들어갈 계획이다. 더불어 평면 낸드플래시도 14나노 공정을 도입했다. 삼성전자가 작년 5월, 도시바가 최근 도입한 기술이라는 점을 감안하면 빠르게 낸드플래시 역량을 끌어올리고 있는 셈이다.

업계에서는 올해 D램 시장의 비트 성장을 22%로 내다보고 있다. 2015년 20%보다 다소 높은 것으로 2.2% 가량 공급과잉이 일어난다는 얘기다. 상반기까지는 재고소진과 함께 신흥국 통화 가치 하락이 주춤하고 있어 하반기 반등이 예상된다. 낸드플래시도 D램과 마찬가지로 1.8% 공급과잉이 나타날 것으로 전망된다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com