SK하이닉스 ‘와이드 IO2 모바일 D램’ 개발… LPDDR4 대비 4배 빨라

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SK하이닉스 ‘와이드 IO2 모바일 D램’ 개발… LPDDR4 대비 4배 빨라

디지털데일리 발행일 2014-09-03 09:51:31

한주엽

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[디지털데일리 한주엽기자] SK하이닉스(www.skhynix.com 대표 박성욱)는 3일 고성능 와이드 IO2 모바일 D램을 개발했다고 밝혔다.

와이드 IO2 모바일 D램은 국제반도체표준협의기구(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC)가 표준화를 진행 중인 차세대 제품의 한 종류다. 20나노급 공정을 적용한 8기가비트(Gb) 용량을 갖췄다. LPDDR4와 같은 1.1V 동작전압에서 저전력 특성을 강화했으며, 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높였다. LPDDR4는 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8기가바이트(GB)의 데이터 처리가 가능하다. 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리 할 수 있다. 초당 처리 용량은 기존 LPDDR4 보다 4배 빠른 것으로 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능이다.

D램은 DDR 제품을 기반으로 진화를 계속해 왔으나, 최근에는 고성능을 요구하는 고객의 수요에 맞춰 HBM(High Bandwidth Memory) 및 와이드 IO2 등과 같은 새로운 형태로도 발전을 계속하고 있다. SK하이닉스는 현재 주요 시스템온칩(SoC) 업체에 샘플을 공급했으며, 내년 하반기부터 양산에 나서 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화한다는 계획이다. SK하이닉스로부터 제품을 공급받은 고객사는 와이드 IO2와 함께 SoC를 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 시장에 최종 공급할 예정이다. 김진국 SK하이닉스 모바일개발본부장(상무)은 “와이드 IO2 제품을 통해 확대되는 고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것”이라며 “향후에도 지속적으로 고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 작년 12월과 올해 4월에 실리콘관통전극(TSV) 기술 기반의 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발해 고객과 상품화를 진행 중이다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr