삼성전자, TSV 적용한 64GB DDR4 서버용 D램 모듈 양산

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삼성전자, TSV 적용한 64GB DDR4 서버용 D램 모듈 양산

디지털데일리 발행일 2014-08-27 18:22:08

한주엽

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[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자는 27일 실리콘관통전극(Through Silicon Via, TSV) 기술을 적용한 64기가바이트(GB) DDR4(Double Data Rate 4) 서버용 D램 모듈을 양산하기 시작했다고 발표했다.

해당 제품은 20나노급 4기가비트(Gb) D램칩 144개로 구성된 제품이다. TSV 기술로 4Gb D램을 4단으로 쌓은 칩 36개가 탑재된다. TSV란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 기존 와이어(금선)를 이용한 패키징 방식에 비해 속도가 2배 빨라지고 소비전력은 절반으로 낮아진다. 삼성전자는 올해 TSV 전용 라인을 구축하고 양산 체제에 돌입했다. 올 하반기 출시되는 차세대 중앙처리장치(CPU)와 연계해 신규 시장을 창출하겠다는 포부다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 상무는 “이번 TSV 기반 D램 모듈 양산으로 하반기 출시될 차세대 CPU와 함께 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다”고 설명했다. 삼성전자는 추후 64GB보다 높은 용량의 DDR4 모듈도 출시한다는 계획이다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr