- 마이크론 연이어 세계 최초 타이틀…YMTC 232단 낸드 상용화
[디지털데일리 김도현 기자] 메모리 시장에 묘한 분위기가 감지된다. 지난 수년간 삼성전자와 SK하이닉스가 양과 질 모두 ‘초격차’를 유지해왔다면 미국 마이크론, 중국 양쯔메모리테크놀로지(YMTC) 등이 이를 깨려는 모양새다. 위기감을 느낀 국내 기업들은 불황 속에서도 기술경쟁력 강화는 늦추지 않겠다는 의지다.
1일 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 서울 강남구 코엑스에서 개최한 컨퍼런스에서 최정동 테크인사이츠 박사는 “삼성전자 개발전략에 뒤처지지 않나 싶을 정도로 마이크론이 공격적으로 신제품을 내놓고 있다. 삼성전자도 기간을 단축해 마이크론 추격을 따돌려야 할 것”이라고 말했다.
최근 마이크론은 차세대 D램과 낸드플래시를 가장 먼저 공개하면서 공정 전환을 주도하고 있다. 2020년 11월 176단 낸드, 2021년 1월 10나노미터(nm)급 4세대(1a) D램 생산 소식을 전한 것이 대표적인 사례다. 지난해에도 223단 낸드 양산, 5세대(1b) D램 개발에 대해 발표하기도 했다. 공식적인 언급으로는 모두 마이크론이 세계 최초다.
미래 제품으로 꼽히는 3차원(3D) D램 분야에서도 마이크론 행보가 눈에 띈다. 이 제품은 한정된 공간에서 셀을 늘리는 데 물리적 한계치에 도달한 D램을 적층해 성능을 개선하는 콘셉트다.
미국과 중국 업체 공세에 삼성전자와 SK하이닉스는 연구개발(R&D)에 자금, 인력 등 자원 투입을 확대할 방침이다. 삼성전자는 올해 시설투자액(CAPEX) 내 R&D 항목 비중을 대폭 늘리기로 했고 지난해 8월 차세대 반도체 R&D 단지를 착공했다. SK하이닉스는 전반적인 CAPEX는 줄이나 차세대 제품을 위한 투자는 아끼지 않겠다는 심산이다. 미국에는 R&D 및 패키징 제조센터를 설립할 예정이다.
또한 양사는 더블데이터레이트(DDR)5 등 차세대 규격 선점에 나서는 한편 고대역폭 메모리(HBM), 지능형 메모리(PIM) 등 미래 수요를 대비하고 있다. HBM과 PIM 등은 서버 등 데이터 사용량이 급증하면서 나타나는 병목현상을 최소화하기 위해 고안된 '똑똑한 메모리'다.
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