- 그룹 총수부터 경영진까지 기술 경쟁력 강조
[디지털데일리 김도현 기자] 최근 메모리 부문에서 추격을 허용한 삼성전자가 절치부심했다. 차세대 D램 최초 개발에 성공하면서 선두 기업의 존재감을 나타냈다.
21일 삼성전자는 12나노미터(nm)급 공정 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램 개발 및 호환성 검증을 완료했다고 밝혔다.
해당 제품은 10nm급 5세대(1b) D램이다. 여기서 10nm급은 회로 간 선폭을 의미한다. DDR5는 차세대 D램 규격이다.
메모리 시장 1위인 삼성전자는 지난 2년 동안 여러 번 자존심이 상했다. 미국 마이크론이 연이어 세계 최초로 176단 낸드플래시, 4새대(1a) D램 생산 소식을 전했고 SK하이닉스가 최신 고대역폭메모리(HBM) 개발을 마친 영향이다.
우려의 목소리가 커지자 삼성전자는 이례적으로 D램의 선폭을 구체적으로 공개하고 회사의 기술 및 원가경쟁력은 여전함을 수차례 피력하기도 했다.
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