[다시뛰는 하이닉스] D램·낸드 경쟁력 강화…모바일·클라우드 대응

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[다시뛰는 하이닉스] D램·낸드 경쟁력 강화…모바일·클라우드 대응

디지털데일리 발행일 2011-06-13 17:01:43

한주엽 기자

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[디지털데일리 한주엽기자] 하이닉스반도체는 공정 미세화를 앞세운 세계 최고 수준의 기술력으로 원가경쟁력을 강화하고 다양한 고객의 요구에 대응할 수 있는 최적의 제품 포트폴리오를 갖춤으로써 메모리 반도체 시장에서 확고한 우위를 점하겠다는 계획이다.

D램의 경우 40나노급 비중을 1분기 말 55%에서 2분기 말 60% 수준으로 확대할 계획이다. 지난해 말 개발이 완료된 30나노급 제품은 올해 1분기부터 초기 양산이 시작됐으며 올해 연말까지 40% 수준으로 비중을 확대할 계획이다.

또 지난해 연말 세계 최초로 개발한 30나노급 4기가비트(Gb) 제품 등을 통해 고용량·고성능·저전력의 프리미엄 제품시장을 선도할 수 있을 것으로 예상하고 있다.

하이닉스가 개발한 30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70% 가량 향상됐다.최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도가 60% 가량 빨라졌다. 20나노급 제품도 올해 연말까지 개발을 완료할 예정이다.

지난 1분기 기준으로 D램 매출의 70% 수준에 도달한 모바일∙그래픽∙서버용D램 등 고부가가치 제품 비중도 2분기에 70% 중반까지 확대한다. 하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 60% 가량을 2Gb 제품으로 생산하고 있으며 향후 고용량·고성능·저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 4Gb 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나간다는 계획이다.

낸드플래시는 지난해 8월 20나노급 제품을 양산하기 시작해 업계 선두 수준의 기술력과 원가경쟁력을 확보하게 됐다. 20나노급은 기존 30나노급 32기가비트 제품에 비해 생산성이 60% 가량 향상되어 원가경쟁력을 높였고 64Gb의 고용량으로 개발해 고성능을 원하는 고객에 맞춤형 제품 공급도 가능해졌다.

20나노급 낸드플래시의 비중은 1분기 말 40%에서 2분기 말 50% 중반까지 확대할 예정이다. 또한 차세대인 20나노 제품도 계획대로 하반기에 양산을 시작한다.

미세 공정 강화 외에 낸드 사업의 전략은 솔루션 제품의 포트폴리오를 강화하는 것이다. 메모리 반도체는 스마트폰, 태블릿 등 응용 분야가 다변화됨에 따라 표준화된 단품 위주 수요에서 고객별로 차별화된 융·복합 솔루션 제품으로 확대될 것으로 전망되기 때문이다.

그 동안의 낸드 사업은 공정 미세화에 관한 업계 선두권 기술을 확보하는 것이 우선이었으나, 기술력에 있어 선두권과 격차가 없는 수준에 이르렀기 때문에 올해부터는 SSD를 포함한 다양한 낸드 솔루션 제품을 적기에 시장에 출시하고자 하는 것이 회사의 전략이다.

이에 따라 하이닉스는 장기적인 경쟁력을 갖추고 메모리 신성장의 기회를 최대한 활용할 수 있도록 수요 변화에 맞춰 eMMC(embedded Multi Media Card), SSD 등 낸드 솔루션 제품을 선제적으로 강화할 예정이다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr