SK하이닉스, 시설투자↓ R&D↑…보릿고개 정면돌파

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SK하이닉스, 시설투자↓ R&D↑…보릿고개 정면돌파

디지털데일리 발행일 2016-04-26 16:05:23

이수환

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[전자부품 전문 미디어 인사이트세미콘]

SK하이닉스가 올해 시설투자를 줄이는 대신 연구개발(R&D) 투자에 집중하기로 했다. D램 수요둔화로 인한 업황부진이 이어지고 있는 상황에서 미세공정 전환을 통한 원가절감으로 버텨내겠다는 전략이다.

26일 SK하이닉스는 실적발표를 통해 지난 1분기 매출 3조6560억원, 영업이익 5620억원, 순이익 4480억원을 기록했다고 밝혔다. 전년 동기 대비 매출과 영업이익이 각각 24%, 65% 감소했으나 두 자릿수 영업이익률은 그대로 이어나갔다.

실적부진은 어느 정도 예견됐다. D램 가격이 계속해서 하락세를 면치 못하는데다가 계절적 비수기 진입 등이 영향을 끼칠 것으로 전망됐기 때문이다. 이에 대해 SK하이닉스 이명영 전무는 “1분기 D램 시장은 PC 수요 저하가 예상보다 높았고 서버 수요를 이끈 데이터센터 고객의 재고조정, 모바일 D램의 비수기 진입으로 인한 수요 감소가 이어졌다”며 “신규 스마트폰 출시와 새로운 서버용 중앙처리장치(CPU) 출시로 하반기부터는 긍정적인 흐름이 생길 것으로 기대한다”고 설명했다.

실적개선을 위해 SK하이닉스는 시설투자보다는 R&D에 역량을 집중할 계획이다. D램만 하더라도 삼성전자가 이미 2z나노가 주력이고 18나노 제품의 양산이 시작된 상태여서 격차를 줄일 필요가 있다. 실적부진이 공급과잉보다는 수요부진에서 일어난 만큼 원가경쟁력 확보를 우선하겠다는 의미다. 이를 위해 2z나노 공정을 컴퓨팅 제품에 이어 모바일 제품으로 본격 확대하고 1x나노급 D램 개발을 위한 R&D 역량을 강화한다는 복안이다.

SK하이닉스 D램 마케팅 그룹장 박래학 상무는 “2분기에 2z 모바일 D램의 주요고객 인증으로 사업을 시작하고 하반기에는 대부분의 고객에게 본격적으로 제품을 공급할 수 있을 것”이라며 “연말에는 2z D램이 볼륨 베이스로 가장 의미 있는 제품이 되리라 본다”고 말했다.

낸드플래시는 2D 제품은 14나노, 3D 제품의 경우 현 2세대(36단)에서 3세대(48단)으로의 전환을 목표로 하고 있다. 현재 2세대 3D 낸드플래시는 인텔과의 협업이 적극적으로 이뤄지고 있다. 양사는 서로 낸드플래시 로드맵을 공유하며 지속적인 협력관계를 이어나가고 있다.

SK하이닉스 플래시 마케팅 그룹장 김영래 상무는 “3세대 3D 제품은 이번 분기에 내부 인증이 예상되며 하반기에는 양산에 돌입할 수 있도록 준비하고 있다”며 “3D 낸드플래시의 모바일 채용 시점은 고객사마다 상황이 달라 자세히 말하기 어렵지만 하반기에는 본격적으로 사용될 수 있을 것”이라고 설명했다. SK하이닉스는 하반기 이천 M14 팹 2층 공사에 들어가 내년 상반기에 완공을 목표로 하고 있다. 이 곳에서는 3D 낸드플래시가 생산된다. 현재는 주로 청주 M12에서 제품이 만들어지고 있다.

한편 SK하이닉스는 메모리 수요 둔화와 업체간 경쟁 심화로 메모리 시장에 대한 우려가 높아지고 있으나 고유의 DNA를 통해 수익성 제고 노력을 지속할 것이라고 밝혔다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com