로옴, 마쓰다와 GaN 전력반도체 기반 자동차 부품 공동 개발 추진

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로옴, 마쓰다와 GaN 전력반도체 기반 자동차 부품 공동 개발 추진

디지털데일리 발행일 2025-03-27 16:11:18

고성현 기자

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GaN 반도체 기반 자동차 부품 공동 개발에 나선 로옴과 마쓰다 [ⓒ로옴]

[디지털데일리 고성현 기자] 로옴(ROHM, 대표 마츠모토 이사오)이 일본 자동차 기업인 마쓰다(Mazda)와 차세대 전력반도체인 질화갈륨(GaN) 칩 기반 자동차 부품 공동 개발에 나섰다고 27일 밝혔다.

양사는 지난 2022년부터 전동 구동 유닛의 개발 및 생산을 위한 협업 체제를 통해 실리콘 카바이드 (SiC) 전력반도체를 탑재한 인버터의 공동 개발을 추진하고 있다. 아울러 이번에 GaN 전력반도체를 활용한 자동차 부품 개발에도 착수했다.

GaN은 전력반도체의 차세대 재료로 기존 실리콘(Si) 대비 전력 변환에 따른 손실을 억제하고 고주파 구동으로 부품 사이즈 소형화에 유리하다. 양사는 GaN 반도체의 특징을 활용해 차량 전체를 고려한 패키지, 경량화, 디자인 혁신에 기여하는 솔루션으로의 전환을 위해 힘을 합친다. 우선 올해 이러한 콘셉트의 구현화 및 데모기를 통한 트라이얼을 거쳐, 2027년 실용화로 전개해 나갈 예정이다.

히로세 이치로 마쓰다 최고기술책임자 전무는 "반도체 소자와 자동차를 양방향으로 직결시킨 새로운 밸류체인의 공동 가치 창조를 위한 협력을 기대하고 있다"며 "마쓰다는 뜻을 함께하는 파트너 기업과의 협업을 통해, 전동차에 있어서도 진심으로 운전을 즐길 수 있는 '주행의 즐거움'을 실현하는 상품을 고객에게 제공할 것"이라고 밝혔다.

아즈마 카츠미 로옴 전무이사는 "고주파 동작이 가능한 로옴의 EcoGaN™과 그 성능을 최대화시키는 제어 IC로 구성한 솔루션은 소형 및 저전력화의 열쇠"라며 "마쓰다와 공동 개발로 애플리케이션 및 최종 제품 개발의 시점에서 GaN에 대한 요구를 이해하고 GaN 파워 반도체의 보급 확대, 나아가 지속 가능한 모빌리티 사회의 창조에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.