[디지털데일리 윤상호 기자] 삼성전자가 반도체 수탁생산(파운드리) 경쟁력 강화를 지속한다. 2025년 2나노미터(nm) 2027년 1.4nm 공정을 도입한다. 패키징 기술 확보도 속도를 낸다.
삼성전자(대표 한종희 경계현)는 3일(현지시각) 미국 캘리포니아주 세너제이에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 개최했다고 4일 밝혔다.
삼성 파운드리 포럼은 삼성전자 파운드리사업부 기술과 전략 공유 자리다. 3년 만에 오프라인으로 치렀다. 고객사 협력사 파트너사 등 500여명이 참석했다.
삼성전자는 ▲파운드리 기술 혁신 ▲응용처별 최적 공정 제공 ▲고객 맞춤형 서비스 ▲안정적인 생산 능력 확보 등을 앞세워 파운드리 사업 경쟁력을 높이겠다고 전했다.
삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 “고객의 성공이 삼성전자 파운드리사업부의 존재 이유”라며 “삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다”고 말했다.
공정 경쟁력을 지속 확장한다.
삼성전자는 2015년 핀펫(FinFET) 2022년 6월 GAA(Gate All Around) 3nm 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작했다. GAA 기반 2025년 2nm 2027년 1.4nm 공정 양산에 착수할 예정이다.
공정 혁신과 함께 패키징 기술 고도화를 병행한다.
삼성전자는 2.5차원/3차원(2.5D/3D) 이종 집적 패키징 기술을 확대할 계획이다. 삼성전자는 시스템반도체와 메모리반도체를 결합한 ▲2.5D I-큐브 ▲3D X-큐브 패키징 기술을 확보한 상태다. 3nm GAA 기술도 삼성전자 독자 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용했다. 3D 집적회로(IC) 솔루션도 제공할 방침이다.
2024년 마이크로 범프(u-Bump)형 X-큐브를 2026년 범프리스 X-큐브를 양산하는 것이 목표다. 각각 데이터 처리량을 기존 대비 늘릴 수 있는 기술이다.
또 고객군을 다변화한다.
2027년까지 모바일 외 제품군 매출 비중을 50% 이상으로 키운다. 삼성전자는 지난 6월 세계 최초 3nm 공정 고성능컴퓨팅(HPC) 제품을 양산했다. 4nm 공정은 HPC와 오토모티브로 넓혔다.
28nm 차량용 eNVM(embedded Non-Volatile Memory) 솔루션은 2024년부터 14nm를 지원한다. 8nm도 준비 중이다. 무선주파수(RF)는 14nm 공정에서 8nm 공정으로 확장했다. 5nm 공정도 개발하고 있다.
아울러 파운드리 생태계를 넓힌다.
삼성전자는 삼성 파운드리 포럼에 이어 이날(현지시각) ‘SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)포럼’을 진행한다. 삼성전자는 2022년 현재 56개 설계자산(IP) 파트너와 4000개 이상의 IP를 제공하고 있다. 디자인솔루션파트너(DSP)와 전자설계자동화(EDA) 분야도 각각 9개와 22개 파트너와 협력하고 있다. 9개 파트너와는 클라우드 서비스를 10개 OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test) 파트너와는 패키징 서비스를 지원한다.
생산능력(캐파)도 늘린다.
삼성전자는 2027년까지 선단 공정 캐파를 올해 대비 3배 이상 확대한다. ▲평택 ▲화성 ▲미국 테일러는 선단 공정 라인을 ▲화성 ▲기흥 ▲미국 오스틴은 성숙 공정 라인을 운영하고 있다.
파운드리 투자는 ‘쉘 퍼스트’ 전략을 취한다. 클린룸을 선제적으로 건설하고 설비 투자는 탄력적으로 진행한다.
한편 삼성전자는 삼성 파운드리 포럼을 7일 유럽 18일 일본 20일 한국에서도 열 예정이다. 지역별 고객 맞춤형 솔루션을 제시한다. 21일부터는 행사 내용을 온라인에서도 볼 수 있다.