램리서치, 저불소 ALD 공정 선봬…3D 낸드 품질↑

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램리서치, 저불소 ALD 공정 선봬…3D 낸드 품질↑

디지털데일리 발행일 2016-08-10 13:39:30

이수환

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램리서치(www.lamresearch.com 대표 마틴 앤스티스)는 앨터스(ALTUS) 제품군의 최신 버전으로 불소 함량이 낮은 텅스텐 필름 증착을 위한 ‘원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD)’ 공정을 선보였다고 10일 밝혔다. ‘앨터스 맥스 E 시리즈’는 저불소 텅스텐(Low-Fluorine Tungsten, LFW) 원자층증착(ALD) 공정이며 메모리 칩 업체의 핵심 과제를 해결할 수 있을 뿐 아니라 3D 낸드와 D램 디바이스의 지속적인 확장을 가능하게 한다.

최근 3D 낸드는 적층수가 늘어나면서 휘어짐 문제가 발생할 수 있다. 따라서 3D 낸드에 사용되는 텅스텐 필름은 불소 및 고유의 스트레스를 최소화해야 한다. 임계치수(Critical Dimensions, CD)가 줄어듦에 따라 매복된 워드라인(word line)의 D램과 로직 디바이스 내의 메탈 게이트·메탈 콘택트에 대한 저항을 줄이는 것이 어려워졌다.

화학적 증기 증착 텅스텐과 비교하면 앨터스 맥스 E 시리즈는 불소함량을 100배까지 낮출 수 있고 스트레스를 최대 10배까지 줄여준다. 저항을 30% 이상 낮출 수 있다. 더불어 램리서치의 쿼드-스테이션 모듈(Quad-Station Module, QSM) 아키텍처를 사용한다. 이는 스테이션 온도가 독립적으로 설정될 수 있기 때문에 주입 성능을 손상시키지 않고 각 스테이션에 텅스텐 핵 생성과 불소, 스트레스, 저항의 주입을 최적화하는 것이 가능하다.

램리서치의 최고운영책임자(COO) 팀 아처는 “램리서치는 3D 낸드가 제공되는 시장에서 증착 및 식각 장비 설치를 늘려가며 출하량을 두 배로 늘려왔다”고 말했다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com