SK하이닉스, 업계 최초 5세대 HBM 개발…엔비디아 샘플 공급

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SK하이닉스, 업계 최초 5세대 HBM 개발…엔비디아 샘플 공급

디지털데일리 발행일 2023-08-21 13:24:27

김도현 기자

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내년 상반기 양산 예정…하위 호환성도 갖춰

[디지털데일리 김도현 기자] SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 또 한발 앞서 나간다. 삼성전자, 마이크론 등 경쟁사보다 먼저 5세대 제품을 내놓을 전망이다.

21일 SK하이닉스는 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’를 개발했다고 발표했다. AI 가속기 분야를 주도하고 있는 엔비디아에 샘플을 공급하고 성능 검증 절차에 돌입한 것으로 전해진다.

HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치 메모리다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔다. 5세대(HBM3E)는 HBM3 확장(Extended) 버전이다.

SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 부문에서 독보적인 지위를 굳힐 것”이라고 밝혔다.

회사에 따르면 이번 HBM3E는 AI용 메모리 필수 사양인 속도는 물론 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 최고 수준을 충족시켰다.

속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD(FHD)급 영화(5GB) 230편 이상 분량 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

아울러 SK하이닉스는 HBM3E에도 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under Fill) 기술을 적용했다. MR-MUF는 반도체를 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 일컫는다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적인 공정으로 평가받는다.

이를 통해 HBM3E는 기존 대비 열 방출 성능이 10% 향상된 것으로 알려졌다. 하위 호환성도 갖춰 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다는 설명이다. 하위 호환성은 과거 버전 제품과 호환되도록 구성된 정보기술(IT) 및 컴퓨팅 시스템 내에서 신제품이 별도로 수정이나 변경 없이 그대로 쓰일 수 있는 것을 의미한다.

이안 벅 엔비디아 하이퍼스케일&HPC 담당(부사장)은 “최선단 가속 컴퓨팅 솔루션즈용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간 협업이 계속되길 기대한다”고 말했다.

류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당(부사장)은 “HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 각광 받는 HBM 시장에서 제품 라인업 완성도를 높이고 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 강조했다.