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'D램 3위' 마이크론의 반란, 삼성전자·SK하이닉스 턱밑 추격(종합)

- 기술 격차 6개월 안쪽으로 좁혀져

[디지털데일리 김도현 기자] 미국 마이크론의 움직임이 심상치 않다. 낸드플래시에 이어 D램 분야에서도 경쟁사보다 먼저 차세대 제품을 내놓았다. 매번 한 걸음 늦던 마이크론이 국내 업체와의 기술 격차를 대폭 좁혔다는 평가가 나온다.

26일(현지시각) 마이크론은 1α(1-alpha) D램 대량 출하를 시작했다고 밝혔다. 기존 최상급인 10나노급 3세대(1z) 다음 세대 제품이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 아직 차세대 D램 양산 단계에 돌입하지 못했다. 두 회사는 극자외선(EUV) 공정을 도입해 올해부터 생산을 본격화할 방침이다.

마이크론은 지난해 11월 176단 3차원(3d) 낸드플래시 생산 소식을 전했다. 역시 가장 빨랐다. SK하이닉스는 같은 해 12월 176단 제품을 개발했다고 밝혔지면 제품 생산은 아직이다. 삼성전자는 7세대 V낸드 관련 일정을 아직 구체화하지 않았다.

마이크론이 연이어 치고 나오면서 업계에서는 다양한 반응이 나오고 있다. 분명한 건 ‘메모리 빅3’ 간 기술 수준이 비슷해졌다는 점이다. 마이크론은 삼성전자와의 기술 격차를 6개월 안쪽으로 줄였다는 평가다.

반도체 업계 관계자는 “메모리 시장을 3개 업체가 주도하고 있었지만 삼성전자와 SK하이닉스가 60% 이상을 점유할 정도로 마이크론과의 차이가 분명했다”면서 “최근 분위기로는 마이크론이 간극을 상당히 좁힌 것으로 보인다”고 설명했다.

다만 국내 업체들의 제품이 나오기 전인 만큼 절대적 비교가 어렵다는 의견도 있다. 다른 관계자는 “마이크론이 ‘업계 최초’ 타이틀을 위해 준비된 것보다 발표를 서두른 것일 수도 있다. 제대로 된 제품인지는 앞으로 두고 봐야 한다”고 지적했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 마이크론의 발표와 상관없이 기존에 정해둔 자체 일정을 고수한다는 방침이다. 최초 타이틀보다 기술력에 초점을 두겠다는 의지다.

안기현 한국반도체산업협회 상무는 “마이크론이 삼성, SK를 추격한 것은 분명한 사실이다. 국내 업체의 파이를 빼앗을 수도 있다”면서도 “3개 업체가 독점하는 시장인 만큼 어느 한 업체가 망하거나 하는 극단적인 상황은 오지 않을 것”이라고 분석했다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr
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