최신형 노트북을 가지고 다닐 때에는 무거운 충전기를 함께 사용해야만 한다. 지난 2년 동안 충전기가 서류가방이나 주머니에 손쉽게 들어갈 수 있게 더 작게 만들려는 노력을 봐왔다. 아보기 졸트(Avogy Zolt)는 그런 시도 중 하나이다. 이 제품이 인기 있는 이유 중 하나는 크기를 줄이기 위해 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 트랜지스터를 사용한다는 점이다.
지난 몇 년간 GaN은 충전용 전자기기의 성지와도 같았다. 그 이유는 물리적인 관점에서 이론적으로 GaN 트랜지스터가 브레이크다운(반도체 회로의 접합부에 가해진 역전압을 증가시켜 어떤 일정 전압이 되었을 때 역방향 전류가 급증) 전력과 온스테이트(가압상태 전압) 저항 모두에서 모스펫(MOSFET)의 실리콘 성능의 한계를 뛰어넘을 수 있기 때문이다. 하지만 문제는 품질이 좋은 GaN 배양기를 적당한 가격에 구할 수 있느냐 하는 것이었다.
GaN 웨이퍼를 벌크로 구매하면 매우 비싸고 좋은 품질의 제품을 구하는 것도 매우 힘든 일이었다. 품질이 좋은 GaN 레이어는 탄화규소(SiC)나 규소(Si) 배양기에서 배양할 수 있다. 이 방식은 수평적 트랜지스터 구조를 만드는 데는 유용하나 수직적 트랜지스터는 불가능했다. ‘GaN-on-Si’가 적당한 가격에 이용할 수 있게 된 것은 획기적인 이벤트였다. 그 이유는 전통적인 실리콘 제작 둘로 ‘GaN-on-Si’ 웨이퍼를 만들 수 있게 되었기 때문이다.
아보기는 GaN 장비를 대량으로 생산하는 선도 업체라고 주장하고 있다. 벌크 ‘GaN p-n’ 다이오드와 벌크 GaN 배양기, 수직적 파워 트랜지스터에 대한 논문과 함께 다수의 GaN 기반 다이오드와 접합 전계 효과 트랜지스터(Junction field effect transistors, JFET), 졸트 휴대용 충전기 목록을 볼 수 있다. 먼저 아보기의 벌크 GaN 수직적 파워 트랜지스터 기술에 관심이 있었기 때문에 아보기 졸트 차져 플러스를 살펴보기로 했다.
다음 단계로 트랜지스터 구조를 확인하기 위하여 절단면을 확인하였는데 우리가 2013년 분석한 크리(Cree)의 SiC 수직 파워 트랜지스터와 매우 유사한 형태였다. 그런데 놀랍게도 전자현미경(SEM) 기반 에너지 분산 분광술(SEM-EDS)의 배양기는 GaN이 아닌 SiC이었다. 우리는 크리가 아보기 150-00028 내부 다이를 제작한 것이라 생각한다. 물론 다른 SiC 업체가 제작했을 가능성은 남아 있다.
세인트.J 딕슨 워렌 칩웍스 연구원, 김영심 칩웍스코리아 이사 yskim@chipworks.com
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