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SK하이닉스 “2z D램 웨이퍼 투입, 16나노 TLC 낸드도 본격 양산”

[전자부품 전문 미디어 인사이트세미콘]

SK하이닉스가 2분기 중 2z나노 D램 생산을 위해 웨이퍼 투입 작업을 시작한다. 16나노 트리플레벨셀(TLC) 방식 낸드플래시도 본격 양산을 시작할 계획이다. 3D 낸드플래시의 경우 연내 소규모 생산에 돌입한다. 제품 면에서는 D램은 DDR4에, 낸드플래시는 유니버셜플래시스토리지(Universal Flash Storage, UFS)에 대응한다.

김준호 SK하이닉스 경영지원부문장(사장)은 23일 개최된 2015년도 1분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 이 같은 사실을 밝혔다. 김 사장은 “D램은 2y 비중이 2분기 말까지 60% 이상으로 확대될 계획이며 2z 양산을 위한 웨이퍼 투입이 본격적으로 시작된다”며 “2분기 서버 D램에서 DDR4 비중은 30%를 넘고, 모바일용 LPDDR4도 본격적으로 출하가 이뤄지면서 하반기 DDR4 전환이 본격 이뤄질 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 2분기 D램 출하량이 모바일을 중심으로 수요가 회복되면서 한 자릿수 중반대의 출하 증가를 달성할 것이라고 설명했다. 낸드플래시 역시 모바일 제품 수요 증가에 따라 전 분기 대비 10% 초반대의 출하량 증가를 달성할 수 있다고 자신했다.

김 사장은 “16나노 TLC 낸드플래시는 2분기부터 모바일용 솔루션 제품으로 본격 출하할 계획”이라며 “2분기 말 TLC 생산 비중은 10% 후반, 연말까지 40%까지 비중을 확대할 계획”이라고 말했다.

3D 낸드의 경우 연내 소규모 시험 생산을 통해 양산성을 검증할 계획이다. 올해 시험 생산되는 3D 낸드는 36단 제품으로 올 하반기에는 TLC 48단 제품을 양산할 계획이라고 SK하이닉스는 밝혔다. 최근 프리미엄 스마트폰에 탑재가 이뤄지고 있는 UFS 2.0 인터페이스 낸드플래시의 경우 자체 펌웨어와 컨트롤러를 탑재한 제품으로 고객 인증이 이뤄지고 있는 중이다.

한편 SK하이닉스의 1분기 투자액은 입고 기준 2조원이었다. 경기도 이천에 건설되고 있는 신 공장인 M14는 이번 분기에 1층 클린룸 건설을 완료하고 장비 반입을 시작할 예정이다. 올해 연간 시설투자액은 지난해와 비슷한 수준인 5조원대 초반으로 예상되나 환율 영향으로 5조원대 중반까지 늘어날 수 있다고 SK하이닉스는 밝혔다.

김 사장은 “최근 PC D램 공급이 늘어나 가격이 많이 떨어졌으나, 공급 업체들이 PC용 대신 모바일 D램 생산을 늘려 수급 환경은 개선될 것으로 예상된다”며 “낸드 공급은 업체들의 보수적인 생산량 증가 기조와 함께 2D 기술의 공정 전환이 마무리 단계로 접어들면서 내년까지는 공급 증가가 제한적일 것으로 예상된다”고 말했다.

이날 SK하이닉스는 1분기 매출 4조8180억원, 영업이익 1조5890억원, 순이익 1조2950억원을 기록했다고 밝혔다. 영업이익률은 33%, 순이익률은 27%였다. 전년 동기 대비 매출과 영업이익, 순이익은 각각 28.7%, 50.2%, 61.5% 증가한 수치로 시장의 예상치를 크게 상회했다.

<한주엽 기자>powerusr@insightsemicon.com

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