하이닉스, 올해 29나노 D램 20나노 낸드 비중 확대

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하이닉스, 올해 29나노 D램 20나노 낸드 비중 확대

디지털데일리 발행일 2012-02-02 18:50:01

한주엽 기자

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[디지털데일리 한주엽기자] SK 그룹 계열사로 편입되는 하이닉스반도체가 올해 미세공정전환을 통해 사업 경쟁력을 높이겠다는 계획을 밝혔다.

권오철 하이닉스반도체 대표는 2일 여의도 우리투자증권에서 열린 2011년 4분기 실적설명회에서 “올해 초 29나노 D램 개발에 성공했다. 2분기부터 양산한다”라며 “낸드플래시의 경우 1분기부터 20나노 공정으로 양산할 것”이라고 말했다.

하이닉스는 이날 올 연말 패키지 기준 30나노급 이하 D램 가운데 29나노의 제품 비중을 40%로 확대할 계획이라고 밝혔다. 낸드플래시의 경우 20나노급 제품 가운데 20나노의 제품 비중을 80%로 확대한다.

권 대표는 “회로 선폭이 점점 좁아지니 공정수가 늘어나 원가절감율이 예전만 못한 것은 사실이다. D램의 경우 작년 38나노로 전환하면서 생긴 원가절감률은 30% 정도였는데 올해는 이 비율을 더 높여 비용을 아끼겠다”라고 말했다.

올해 투자는 낸드플래시에 집중된다.

하이닉스는 올해 청주 M12 공장의 클린룸 설치 및 양산 체제를 신속하게 갖춰 작년 말 300mm 웨이퍼 투입 기준 월 13만장인 생산 여력을 올 연말까지 17만장 규모로 늘릴 계획이라고 밝혔다. 올해 시설투자액 4조2000억원 가운데 55% 이상을 낸드플래시 생산 확대에 사용할 예정이다.

권 대표는 “올해 D램 생산 증가를 위한 투자는 없다. 미세공정전환 과정에서 생산량이 다소 줄어들 수 있으나 비트그로스(비트 단위 메모리반도체 생산증가율) 성장은 시장 성장을 넘어선 40% 이상이 될 것”라고 말했다.

권 대표는 1분기까지 적자를 지속할 것이라고 전망했다. 그는 “올해 중반기 흑자 전환이 일으나길 기대한다”라며 “어떤 경우라도 연간 전체로는 적자보는 일이 없도록 하겠다”라고 말했다.

권 대표는 “든든한 대주주(SK텔레콤)가 나타나 그간의 약점으로 지적됐던 재무적 능력이 크게 확충됐다”라며 “세계 경제의 뚜렷한 회복 실마리가 잡히지 않아 상당한 불확실성이 있지만 하이닉스는 착실하게 투자하고 제품 포트폴리오를 강화해 올해 한 단계 더 도약할 것”이라고 밝혔다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr