삼성전자, P4 라인 하이브리드 구성 추진…D램·파운드리 복합 구성 검토 [소부장반차장]

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삼성전자, P4 라인 하이브리드 구성 추진…D램·파운드리 복합 구성 검토 [소부장반차장]

디지털데일리 발행일 2025-04-11 14:41:58

고성현 기자

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[디지털데일리 고성현 기자] 삼성전자가 반도체 실적 부진으로 투자를 중단했던 평택캠퍼스 4라인(P4) 일부 공간에 대한 건설 재개를 검토한다. 기존 낸드·D램의 복합 라인을 추진하는 한편, D램·파운드리로 구성된 복합동을 꾸려 연내 투자를 재개하겠다는 목표다.

11일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 P4 페이즈2(Ph2) 라인을 D램과 파운드리 복합 공간으로 구성할 계획을 검토 중이다.

삼성전자는 작년 초 반도체 실적 부진에 따라 기초 공사를 진행 중이던 Ph2, Ph4 라인 구축을 일시 중단한 이후 공사 재개에 대한 검토를 지속해왔다. 특히 저조한 파운드리 수요에 따라 Ph2를 기존 파운드리에서 D램으로 용도변경하는 안을 고려하는 등 다양한 대응 방법을 고려해왔고, 이 과정에서 D램과 파운드리를 짓는 방향으로 의견이 모인 것으로 전해졌다.

아울러 장비 반입을 진행 중인 Ph1 역시 기존 낸드 전용 라인에서 D램을 함께 생산하기 위한 구성이 이뤄지고 있다. 낸드에 대한 설비투자를 우선 집행하되 시황과 수요 등을 고려해 추가 투자를 고려하는 방식이다. Ph1에 구축될 D램은 10나노미터(㎚)급 5세대(1a), 10나노급 6세대(1B) 등 공정이 될 것으로 관측된다.

삼성전자가 P4를 하이브리드 구성으로 추진하는 이유는 심화된 D램 경쟁에 대응하기 위한 것으로 풀이된다. 최근 범용·고성능 D램 수요가 증가하면서 생산능력 확충이 필요해졌고 고대역폭메모리(HBM)에 대한 확대 가시성까지 고려해 일부 용도를 D램으로 변경했다는 의미다. 특히 기존 평택캠퍼스 1~3라인(P1~P3)이 첨단 공정으로의 전환 투자를 앞두고 있어, 이에 따른 생산능력 감소를 고려했다는 평가도 나온다.

아울러 삼성전자가 작년 1a D램과 HBM 등의 재설계(Revision)를 추진해온 만큼 시기에 맞춘 생산능력 확대로 시장 주도권을 잡아야 한다는 의중이 반영됐다는 해석도 나온다. 삼성전자가 1b, 1c 등 신규 D램 공정 진입과 HBM4 및 베이스 다이 등 차세대 라인업 구축을 위한 개발을 진행하고 있는 터라, 이를 뒷받침할 생산능력을 시의적절하게 확보하겠다는 의지를 드러냈다는 해석도 있다.

Ph2에 제외될 것으로 예상됐던 파운드리가 검토되는 배경에는 빅테크로의 잠재적인 수요가 영향을 줬다는 관측이 나온다. 당초 삼성 파운드리는 잇따른 첨단 공정 수율·성능 이슈에 따라 주요 빅테크에 대한 수주가 이뤄지지 않았으나, 4나노 공정을 필두로 일부 공정이 안정화 단계에 들어서면서 상황이 변하고 있는 모습이다.

이 사안에 정통한 한 관계자는 "삼성전자가 올해 하반기부터 미뤄뒀던 주요 투자를 다시 재개하겠다는 신호를 보내고 있는 것으로 안다. 이르면 3분기 중 Ph2, Ph4에 대한 명확한 투자 시점이 공유될 것"이라고 설명했다.

이와 함께 미국에 짓고 있는 텍사스주 테일러시 팹에 대한 투자가 시작될지도 관심사 중 하나다. 현재 삼성전자는 테일러시에 1차 라인 건설 마무리를 위해 국내외 협력사와 관련 일정을 소화 중이다. 특히 일부 해외 공사업체의 중단에 따라 연기된 공사를 삼성물산, 삼성엔지니어링 등 업체와 함께 진행할 것으로 알려졌다. 1차 라인 건설에 대한 마무리는 하반기 혹은 연내 이뤄질 것으로 전망되며, 빅테크에 대한 수주가 확정될 경우 2차 라인 투자 역시 하반기 중 검토할 예정이다.

올해 투자 재개가 예상됐던 P5에 대해서는 아직 검토가 이뤄지지 않은 것으로 전해진다. P5는 4개 구성으로 이뤄진 P4와 달리 8개의 클린룸이 들어서는 대형 팹이다. 정확한 용처는 아직 확정되지 않았으나 이전과 마찬가지로 메모리와 파운드리가 함께 들어가는 종합 동으로 꾸려질 것으로 예상되고 있다. 만약 연내 착공이 진행될 경우 이르면 2027년부터 순차적으로 가동할 것으로 전망된다.