[디지털데일리 김문기기자] 인피니언 테크놀로지스(지사장 이승수)는 TO-247PLUS-4-HCC 패키지를 적용한 새로운 CoolSiC MOSFET 2000V 제품군을 출시한다고 25일 발표했다.
이번 제품은 높은 전압과 높은 스위칭 주파수로 동작하는 까다로운 조건에서도 시스템 신뢰성을 저하시키지 않으면서 전력 밀도를 높이려는 디자이너들의 요구를 충족한다. CoolSiC MOSFET은 더 높은 DC 링크 전압을 제공하므로 전류를 높이지 않고도 전력을 높일 수 있다. 신제품은 2000V 항복 전압(breakdown voltage)을 제공하는 업계 최초의 디스크리트 SiC(실리콘 카바이드) 디바이스로, 연면거리 14mm, 공간거리 5.4mm의 TO-247PLUS-4-HCC 패키지로 제공된다.
또한 1500VDC에 이르는 높은 DC 링크 시스템에 이상적이다. 1700V SiC MOSFET과 비교해서 이들 제품은 1500VDC 시스템에도 충분히 높은 과전압 마진을 제공한다. 이들 CoolSiC MOSFET은 4.5V의 게이트 임계 전압을 지원한다.
CoolSiC MOSFET 2000V 제품군은 현재 공급중이며, 평가 보드 EVAL-COOLSIC-2KVHCC도 제공된다. 개발자들은 이 보드를 정밀한 범용 테스트 플랫폼으로 사용해서 두개의 펄스 동작(Double pulse test) 또는 연속 PWM 동작으로 모든 CoolSiC MOSFET 및 다이오드 2000V 제품과 EiceDRIVER™ 컴팩트 단일 채널 절연형 게이트 드라이버 1ED31xx 제품군을 평가할 수 있다.
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