인피니언, 차량·산업용 CoolSiC MOSFET 750V G1 제품군 출시

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인피니언, 차량·산업용 CoolSiC MOSFET 750V G1 제품군 출시

디지털데일리 발행일 2024-03-14 11:01:39

김문기 기자

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인피니언, 차량 산업용 CoolSiC MOSFET 750V G1 [사진=인피니언]

[디지털데일리 김문기기자] 인피니언 테크놀로지스(지사장 이승수)는 산업용 및 차량용 전력 애플리케이션에서 증가하고 있는 더 높은 효율과 전력 밀도에 대한 요구에 대응하기 위해 750V G1 디스크리트 CoolSiC MOSFET을 출시한다고 14일 발표했다.

이 제품군은 토템폴 PFC, T-타입, LLC/CLLC, DAB(듀얼 능동 브리지), HERIC, 벅/부스트, PSFB(위상 편이 풀 브리지) 토폴로지에 최적화된 산업용 및 차량용 등급의 SiC MOSFET으로 구성된다. 이들 MOSFET은 전기차 충전, 산업용 드라이브, 태양광 및 에너지 저장 시스템, 솔리드 스테이트 회로 차단기, UPS 시스템, 서버/데이터센터, 텔레콤 등의 산업용 애플리케이션과 온보드 차저(OBC), DC-DC 컨버터 등의 차량용 애플리케이션에 적합하다.

CoolSiC MOSFET 750V G1 기술은 탁월한 RDS(on) x Qfr 및 RDS(on) x Qoss FOM(figure of merit)을 특징으로 하며, 각각 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지에서 높은 효율을 달성한다. 높은 임계 전압(VGS(th), 4.3V 정격)과 낮은 QGD/QGS 비율의 고유한 조합은 기생 턴온에 대한 견고성을 높이고 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 한다.

모든 디바이스는 인피니언 고유의 다이 접착 기술을 사용해서 동일한 다이 크기로 뛰어난 열 임피던스를 제공한다. 신뢰성 높은 게이트 산화막 디자인에 인피니언의 품질 표준이 결합됐다.

CoolSiC MOSFET 750V G1 제품군은 25°C에서 RDS(on)이 8mΩ~140mΩ에 이르는 포트폴리오로 다양한 요구를 충족하며, 디자인은 전도 손실과 스위칭 손실을 줄여 전반적인 시스템 효율을 높인다. 혁신적인 패키지는 열 저항을 최소화하고, 열 소산을 향상시키고, 회로 내 전력 루프 인덕턴스를 최적화하여 높은 전력 밀도를 달성하고 시스템 비용을 낮춘다. 이 제품군은 첨단 QDPAK 상단면 냉각 패키지로 제공된다.

CoolSiC MOSFET 750V G1은 차량용으로는 QDPAK TSC, D2PAK-7L, TO-247-4 패키지로 제공되고, 산업용으로는 QDPAK TSC와 TO-247-4 로 제공된다.