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로이터 "삼성전자, HBM 생산 공정에 하이닉스 기술 도입 검토" [소부장반차장]

디지털데일리 발행일 2024-03-13 18:14:35
배태용 기자

HBM3E 12H D램. [ⓒ삼성전자]
HBM3E 12H D램. [ⓒ삼성전자]

[디지털데일리 배태용 기자] 삼성전자가 HBM(고대역폭메모리)의 수율을 높이기 위해 경쟁사인 SK하이닉스 기술 도입을 준비하고 있다고 로이터통신이 13일 보도했다.

이날 로이터통신은 복수의 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 '몰디드 언더필'(MUF) 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 전했다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로 AI 반도체 시장의 필수재로 꼽힌다.

삼성전자는 HBM 패키징에서 칩과 칩 사이에 필름을 넣어 연결하는 비전도성 필름(NCF) 기술을 이용하고 있다. 반면 SK하이닉스는 칩 사이 공간에 특수 물질을 채워 넣어 붙이는 '매스 리플로우 몰디드 언더필(MR MUF)' 기술을 사용 중이다.

소식통들은 삼성전자가 HBM 칩 생산에 기존 NCF 기술과 MUF 기술을 모두 사용할 계획이라고 전하기도 했다. 이같은 보도에 삼성전자는 '사실 무근'이라는 입장이다.

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