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로옴, 저손실·소형화 '파워 스테이지 IC' 개발

디지털데일리 발행일 2023-07-20 16:05:01
김도현 기자

기존 실리콘 MOSFET 대체

[사진=로옴]

[디지털데일리 김도현 기자] 일본 반도체 기업 로옴이 데이터 서버 등의 산업기기, AC 어댑터 등에서 사용되는 1차 전원용으로 650볼트(V) 갈륨나이트라이드(GaN) 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 및 게이트 구동용 드라이버 등을 하나의 패키지에 탑재한 파워 스테이지 집적회로(IC) 'BM3G0xxMUV-LB' 'BM3G015MUV-LB' 'BM3G007MUV-LB'를 개발했다고 20일 전했다.

신제품은 차세대 파워 디바이스인 650V GaN HEMT와 GaN HEMT 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 전용 게이트 구동용 드라이버 및 추가 기능, 주변 부품을 한 패키지에 탑재했다. 아울러 폭넓은 구동전압 범위(2.5V~30V), 1차 전원 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능한 성능을 구현한다.

이를 통해 기존 실리콘 모스펫(MOSFET) 대체 사용이 용이하다. 이에 따라 변경 시 부품 체적 99%, 전력 손실 55% 삭감할 수 있다. 저손실화와 소형화를 실현할 수 있다는 의미다.

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