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경계현, 삼성 美 파운드리 공장 방문…“내년 4나노 칩 양산”

2023년 말 완공·2024년 하반기 가동

삼성전자 미국 텍사스 반도체 공장 [사진=경계현 사장 SNS]

[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자의 미국 반도체 수탁생산(파운드리) 공장 구축이 순항하고 있다. 삼성전자 반도체 사업을 이끄는 경계현 디바이스솔루션(DS)부문장(사장)은 현장을 찾아 공사 현황을 점검한 것으로 알려졌다.

14일 경 사장은 사회관계망서비스(SNS)를 통해 “테일러(텍사스) 팹 공사가 한창이다. 첫 번째 공장 외관 골조가 완성되고 내장공사가 시작됐다”며 “내년 말이면 여기서 4나노미터(nm) 양산 제품이 출하될 것”이라고 말했다.

삼성전자는 지난 2021년 11월 미국 텍사스주 테일러시에 파운드리 생산라인을 짓기로 했다. 작년 하반기부터 땅 다지기 등 기초공사에 들어갔고 최근 외형이 드러난 상태다.

경 사장은 올해 초에도 이곳을 방문한 바 있다. 당시 그는 “테일러 공사는 잘 진행되고 있다. 테일러시를 관할하는 윌리엄슨 카운티에서 부지 앞 도로를 ‘삼성 하이웨이(Samsung Highway)’ 명명했다”며 “올해 안으로 팹이 완공되고 내년이면 미국 땅에서 최고 선단 반도체가 출하될 것”이라고 전했다.

올해 초 테일러 파운드리 공장 찾은 경계현 사장(왼쪽) [사진=경계현 사장 SNS]

해당 공장 가동 예정 시기는 내년 하반기다. 극자외선(EUV) 노광기 등이 투입돼 초미세 공정을 소화할 수 있게 된다. 경 사장이 언급한 4나노 반도체는 물론 2~3나노 칩까지 만들어질 수 있다는 의미다. 앞서 삼성전자는 테일러 공장에서 근무할 인력도 모집하는 등 정상 가동을 위한 작업을 이어가고 있다.

이날 경 사장은 “미국의 주요 고객들은 자신들 제품이 이곳에서 생산되기를 기대한다. 인공지능(AI) 열풍은 여전하다. 클라우드에서의 제너러티브 AI에서 출발해서 엣지에서의 온 디바이스 AI 논의도 활발하다”고 설명했다.

이에 따라 테일러 1라인에서는 AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 5세대(5G) 통신 등 첨단 반도체 위주로 양산될 전망이다.

경 사장은 또 “칩온웨이퍼온서브스트레이트(CoWoS), 인터포저, 고대역폭메모리(HBM) 등 공급망(서플라이 체인) 부족(쇼티지)으로 하드웨어(HW) 공급은 당분간 원활하지 않갔지만 미래에 대한 투자는 모두 열심”이라며 “부품 업체로서 고객 요구에 더 부합하기 위해 최선의 노력을 다하면서 AI 판에서 우리가 가치 창출 및 획득을 위해 무엇을 더 해야 할지 진지하게 고민할 때”라고 이야기했다

한편 삼성전자는 테일러 2라인도 설립할 계획이다. 이곳에서는 ‘쉘 퍼스트’ 전략이 도입된다. 이는 클린룸을 선제적으로 건설하고 시장 수요와 연계한 탄력적인 설지 투자를 단행하는 것을 일컫는다. 쉽게 말해 주문량에 맞춰 시설 구축 속도를 조절하는 방식이다. 따라서 2라인 기초공사는 늦지 않은 시점에 이뤄질 것으로 보인다.

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