DB하이텍, SiC 8인치 직행…2025년 전후 투자 개시

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DB하이텍, SiC 8인치 직행…2025년 전후 투자 개시

디지털데일리 발행일 2022-11-23 07:59:32

김도현

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- SK실트론CSS·소이텍 등에서 SiC 웨이퍼 수급

[디지털데일리 김도현 기자] 반도체 수탁생산(파운드리) 업체 DB하이텍이 신사업에 속도를 낸다. 실리콘카바이드(SiC) 및 갈륨나이트라이드(GaN) 반도체가 대상이다.

22일 DB하이텍 심천만 상무는 이날 서울 서초구 더케이호텔에서 열린 ‘제5회 파워반도체-파워코리아 포럼’에서 전력반도체 파운드리 기술 개발 로드맵을 소개했다.

SiC와 GaN은 각각 기존 실리콘(Si) 반도체에 각각 Si에 탄소(C)를 더하고, 박막을 증착하는 방식으로 만든다. Si 대비 고전압 환경에서 전력 변환 효율이 높아 전기차 등에 쓰이는 전력반도체에 적합한 차세대 제품으로 평가받는다.

두 분야는 전통적인 아날로그 반도체 강자인 독일 인피니언, 스위스 ST마이크로일렉트로닉스, 일본 르네사스와 로옴 등이 선도하고 있다. 국내는 일부 중소중견 업체가 뛰어들었으나 눈에 띄는 성과를 내진 못한 상태다.

DB하이텍은 코로나19 국면에서 정보기술(IT) 업계 수요 증대에 따른 8인치 파운드리 호황을 누렸다. 문제는 이미 8인치는 구식 기술로 치부된데다 올해 하반기 들어 파운드리 업황이 위축된 점. 주문이 몰렸던 DB하이텍 공장 가동률 하락이 불가피했다.

DB하이텍은 일찌감치 대규모 투자가 수반돼야 하는 12인치 라인 구축은 포기했다. 대신 SiC와 GaN에 승부를 걸기로 했다. 현시점에서 2개 제품은 4인치에서 6인치로 넘어가는 추세다. 다음 스텝은 8인치다. DB하이텍은 6인치를 건너뛰고 8인치로 직행할 방침이다.

심 상무는 “충북 상우 팹은 절반만 사용하고 ‘사우스 팹’이라는 부르는 나머지 공간에는 SiC 및 GaN 라인을 증설할 예정”이라며 “오래전부터 6인치가 아닌 8인치를 검토해왔다. 8인치가 상용화되는 시점에 맞춰 투자를 단행할 것”이라고 강조했다.

SiC 사업은 장기전이다. 부산테크노파크에서 6인치 SiC 반도체를 개발 중인 가운데 2025년부터 8인치 제품 개발에 돌입한다. 2026년 말 완료하는 게 목표다. 심 상무는 “6인치에서 쌓은 노하우를 8인치 생산에 적용할 것”이라며 “양산화하기 위해서는 샘플이 필요하기 때문”이라고 설명했다.

관건은 SiC 웨이퍼 확보다. 주요 공급사인 울프스피드, 투식스 등은 글로벌 기업과 장기 계약을 맺었다. DB하이텍은 SK실트론CSS, 소이텍 등을 통해 수급하기로 했다. 두 회사 모두 8인치 SiC 웨이퍼 제공 가능한 것이 특징이다.

심 상무는 “SiC 사업은 충전소, 태양광, 에너지저장장치(ESS) 분야에 1차 진입한 뒤 전기차용 인버터 쪽으로 진출을 노릴 것”이라고 말했다.

GaN 사업은 여러 협력사와 협업 중이다. 에이프로세미콘을 비롯해 RFHIC, 시지트로닉스 등이 대상이다. 2024~2025년이면 성과가 가시화할 전망이다. 프로젝트 수행 상황에 따라 SiC보다 먼저 상용화할 수도 있다.

심 상무는 “GaN 반도체는 주파수를 높이면서 소형으로 효율 향상하는 것이 최우선 과제”라며 “에이프로세미콘 등과 공동 개발하면서 최대한 이른 시점에 서비스할 수 있도록 할 것”이라고 전했다.