램리서치-SK하이닉스, EUV D램 생산성 높인다

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램리서치-SK하이닉스, EUV D램 생산성 높인다

디지털데일리 발행일 2022-06-15 22:42:47

김도현

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- EUV 공정 효율 향상 기대

[디지털데일리 김도현 기자] 미국 반도체 장비업체 램리서치가 SK하이닉스와 첨단 공정이 적용된 D램 생산성 확대에 나선다. 극자외선(EUV) 노광 효율을 높이는 건식(드라이) 레지스트 기술이 핵심이다.

15일 램리서치는 SK하이닉스에 건식 레지스트 하층막과 건식 개발 공정 장비를 공급한다고 밝혔다.

앞서 램리서치는 네덜란드 노광장비업체 ASML, 벨기에 반도체 연구소 아이멕과 협업해 건식 레지스트 기술을 개발했다.

그동안 반도체 제조사는 액체 형태 습식 레지스트를 사용해왔다. 레지스트는 반도체 노광 공정에서 활용되는 감광제다. 이를 바르고 빛을 쏘면 웨이퍼 위에 회로 패턴이 새겨진다.

램리서치 등이 개발한 건식 레지스트는 증착 공정을 통해 박막을 형성한다. 화학기상증착(CVD), 원자층증착(ALD) 등 작업을 통해 막을 형성하면 그 위에 빛을 조사하는 방식이다.

해당 기술은 EUV 공정 해상력을 높이고 비용은 낮출 것으로 기대된다. 해상력은 렌즈나 감광 재료가 얼마나 섬세한 묘사가 가능한지를 나타내는 수치다. 해상력이 오르면 미세한 패턴을 구현하는 데 유리하다.

램리서치에 따르면 습식 대비 5~10배 적은 원료를 사용하고 빛 조사량도 줄일 수 있어 원가절감에 용이하다. 기존에는 웨이퍼를 회전시키면서 장비로 습식 레지스트를 떨어뜨리는 스핀 코팅 방식이어서 도포 시 낭비되는 부분이 있었다.

리차드 와이즈 램리서치 건식 레지스트 제품군 총괄매니저는 “재료 수준 혁신으로 EUV 노광 공정 가장 큰 과제를 해결하고 고급 메모리와 로직에 대한 비용 효율적인 확장을 가능하게 할 것”이라며 “D램 기술 혁신 가속을 위해 SK하이닉스와 협력을 지속하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다”고 전했다.

이병기 SK하이닉스 미래기술연구원 R&D 공정 담당 부사장은 “D램 공정이 미세화됨에 따라 EUV 패터닝 혁신은 점점 더 긴밀하게 연결되는 디바이스에 요구되는 성능을 고객에게 적합한 비용으로 제공하는 데 있어 중요한 요소”라며 “램리서치와 협력하는 건식 레지스트 기술은 정밀하고 결함이 적으며 패터닝 비용도 저렴하다”고 말했다.