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美 TI, 12인치 웨이퍼 반도체 팹 증설

- 300억달러 들여 4개 팹 건설
- 셔먼 팹 2025년 가동


[디지털데일리 김도현 기자] 미국 텍사스인스트루먼트(TI)가 12인치(300mm) 반도체 생산라인을 구축한다. 반도체 공급난이 장기화하는 가운데 수요 대응 차원에서 대규모 투자를 단행하기로 했다.

19일 TI는 텍사스주 셔먼에 마련하는 새 300mm 반도체 웨이퍼 제조공장 착공식을 개최했다고 밝혔다.

리치 템플턴 TI 회장은 “신규 공장 착공은 향후 수십 년에 걸쳐서 고객 수요에 대비해 반도체 미래 성장을 위한 초석을 마련하는 중요한 이정표가 될 것”이라며 “90년 전 창립 당시부터 지금까지 TI는 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품을 만들어서 더 나은 세상을 만들고자 하는 열정과 발전해 왔다”고 강조했다.

데이비드 플라일러 셔먼 시장은 “이번 착공식은 반도체 생산의 새 시대를 여는 것”이라며 “우리 지역에 막대한 경제적 기회를 창출하고 삶의 질 향상에도 기여할 것”이라고 말했다.

이번 착공은 300억달러(약 38조3700억원)를 투입하는 4개 팹 프로젝트 중 일부다. 셔먼 팹은 오는 2025년 가동 예정이다. 텍사스주 댈러스 ‘DMOS6’, 텍사스주 리차드슨 ‘RFAB1’ ‘RFAB2’ 등도 설립 예정이다. RFAB2은 올해 말부터 생산을 시작한다. 유타주 레히 LFAB은 2023년 상반기 양산 개시한다.

TI는 새로운 팹들을 통해 다양한 전자제품에서 사용할 수 있는 아날로그 및 임베디드 프로세싱 칩을 생산할 예정이다.

한편 신규 생산라인은 빌딩 인증 시스템인 ‘LEED(Leadership in Energy and Environmental Design)’의 구조적 효율성과 지속가능성 지표 중 상위 수준인 골드 등급을 충족하도록 설계된다. 셔먼 팹의 첨단 300mm 장비와 프로세스는 폐기물, 물 사용, 에너지 소모를 줄이는 데 기여할 것으로 기대된다.
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