삼성전자, P3 세부 투자 확정…경쟁사, 메모리 추격 여지 차단

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삼성전자, P3 세부 투자 확정…경쟁사, 메모리 추격 여지 차단

디지털데일리 발행일 2021-12-22 13:49:11

김도현

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- ‘메모리 + 파운드리’ 복합 공장…낸드 라인부터 구축할 듯

[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 메모리 초격차를 강화한다. 메모리 수요에 대한 자신감을 투자로 내비치면서 업황 우려 불식에 나설 방침이다. SK하이닉스 마이크론 등도 물량 대응을 위한 움직임이 포착된다.

22일 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 내년 1분기 경기 평택 3공장(P3)에 장비를 반입한다. 앞서 삼성전자는 2022년 하반기 완공을 예고했다.

P3 건축허가 면적은 70만제곱미터(㎡), 길이는 700미터(m)다. 축구장 16개 크기인 평택 2공장(P2)보다 1.5배 이상 큰 것으로 전해진다. 반도체 공장 중 세계 최대 규모다.

P2와 마찬가지로 메모리와 시스템반도체 라인을 포함한 복합 생산기지로 구축된다. P3 투자는 낸드플래시 – D램 – 반도체 수탁생산(파운드리) 순으로 이뤄질 예정이다.

반도체 업계 관계자는 “당초 파운드리 라인부터 마련될 것이라는 이야기가 있었으나 메모리 먼저 진행하기로 한 걸로 안다”며 “향후 메모리 수요가 증가한다는 기대감이 반영된 조치”라고 설명했다.

앞서 증권가 등에서 내년 메모리 시장에 대한 부정적 전망을 내놓았다. 코로나19 장기화에 따른 펜트업 수요, 서버 재고 확보 등이 감소세로 접어들 것이라는 이유에서다. 하지만 삼성전자 SK하이닉스 마이크론 등 메모리 ‘빅3’는 긍정 신호를 보냈다. 이는 투자로 이어지는 분위기다.

삼성전자는 올해 하반기 P2 내 낸드 라인을 가동했고 해외 낸드 생산기지 중국 시안 2공장 투자도 마무리했다. 최근 솔리드스테이트드라이브(SSD) 판매 증가 등으로 낸드 수요가 늘어나면서 삼성전자도 생산능력 확대에 박차를 가하고 있다. P3 투자 계획도 같은 맥락이다.

지난 20일(현지시각) 회계연도 2022년 1분기(2021년 9~11월) 실적을 공개한 마이크론도 내년 시장 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)를 D램 10%대 중후반, 낸드 30% 상승으로 예상했다. 낸드 확장에 무게를 둔 셈이다. 국제반도체장비재료협회 역시 D램(152억달러)보다 낸드(206억달러)에서 더 많은 장비 투자가 이뤄질 것으로 추정했다.

한편 SK하이닉스와 마이크론도 메모리 투자 규모를 확대할 전망이다. SK하이닉스는 내년 시설투자액(CAPEX)을 17조원 내외로 늘릴 것으로 예상된다. 이는 메모리 호황기 2018년과 유사한 수준이다. 마이크론은 회계연도 2022년에 14조원 내외 자금을 투입한다.