삼성전자, 14나노 EUV 공정 DDR5 D램 양산

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삼성전자, 14나노 EUV 공정 DDR5 D램 양산

디지털데일리 발행일 2021-10-12 11:34:13

윤상호

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- 업계 최초…생산성·전력효율 20%↑

[디지털데일리 윤상호 기자] 삼성전자가 D램 주도권을 강화한다. 업계 유일 극자외선(EUV) 공정 14나노미터(nm) D램 양산에 착수했다. 차세대 D램 DDR(Double Data Rate)5에 적용했다.

삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 EUV 공정 14nm DDR5 D램 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.

EUV 공정은 이전 공정에 비해 회로 선폭을 미세하게 그릴 수 있는 것이 장점이다. 삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 활용했다. 이번에는 5개 레이어에 EUV를 이용했다. 삼성전자는 이 공정으로 24기가비트(Gb) D램까지 생산할 방침이다.

EUV 14nm D램은 이전 제품 대비 생산성을 약 20% 향상했다. 전력효율은 약 20% 개선했다.

DDR5는 차세대 D램 규격이다. DDR4 대비 속도를 2배 높였다. 데이터 처리 방식이 고도화하며 주목을 받고 있다. 내년부터 채용률이 대폭 높아질 것으로 기대된다. 삼성전자는 이번 제품을 통해 DDR5 D램 대중화를 선도할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 전무는 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며 “고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5세대(5G) 이동통신·인공지능(AI)·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 말했다.