IBM, 세계 최초 2나노미터 칩 기술 공개

실시간
뉴스

반도체

IBM, 세계 최초 2나노미터 칩 기술 공개

디지털데일리 발행일 2021-05-06 19:55:29

백지영

URL복사

[디지털데일리 백지영기자] IBM은 세계 최초로 2 나노미터(nm) 나노시트 기술로 개발된 칩을 선보였다고 6일 발표했다.

최근 하이브리드 클라우드와 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT) 시대에 칩 성능과 에너지 효율 증대에 대한 요구는 계속 높아지고 있다. IBM은 새로운 2 나노 칩 기술이 이러한 요구를 해결하는 한편, 반도체 공정 혁신을 가져올 것으로 평가했다.

회사에 따르면 이번 발표는 IBM이 5나노미터 디자인을 발표한 지 채 4년이 안되어 개발됐다. 최신 아키텍처 덕분에 손톱만한 크기의 2나노 칩에는 최대 500억개의 트랜지스터를 장착할 수 있다.

특히 오늘날 가장 발전된 7나노 노드 칩보다 45% 더 높은 성능과 75% 더 낮은 에너지 사용을 달성할 것으로 예상했다. 2나노 칩을 적용할 경우, 휴대폰 배터리 수명은 4배 증가해 4일마다 충전이 가능하다.

또, 전 세계 에너지 사용량의 1%를 차지하는 데이터센터의 탄소 배출량 감소가 예상된다. 모든 서버를 2나노 기반 프로세서로 변경할 경우, 잠재적으로 이 숫자를 크게 줄일 수 있을 전망이다. 이밖에 애플리케이션 처리 속도 향상부터 언어 번역 지원, 인터넷 액세스 속도 향상 등 노트북 기능 향상, 자율주행차에서 물체 감지 및 반응 시간 단축에 기여할 것으로 내다봤다.

IBM 연구소 총괄 다리오 길 수석 부사장은 "새로운 2나노 칩에 반영된 IBM의 혁신은 반도체와 IT 산업 전체에 필수적"이라며 "이번 발표는 하드 테크 분야의 도전을 책임지는 IBM 접근 방식의 산물이자, 지속적인 투자와 에코시스템의 R&D 협업 접근 방식이 어떻게 중요한 기술적 발전을 만들어내는지를 보여주는 예시”라고 강조했다."

한편 IBM 측은 이번 성과가 미국 뉴욕 올버니 나노테크 단지내에 위치한 연구소에서 이뤄졌다고 밝혔다.

그동안 IBM 올버니 연구소에선 7나노 및 5나노 공정 기술의 첫 구현, 단일 셀 DRAM, 데너드 스케일링 법칙, 화학적으로 증폭된 감광액, 구리 상호 연결 배선, 실리콘 온 인슐레이터 기술, 멀티 코어 마이크로프로세서, 하이-K 게이트 유전체, 임베디드 DRAM, 3D 칩 스태킹 기술 등이 개발됐다.

IBM 연구소의 7 나노 업그레이드 버전을 포함한 IBM의 첫 상용화 제품은 올해 말 IBM 파워10 기반 시스템에 적용돼 출시될 예정이다.

<백지영 기자>jyp@ddaily.co.kr