"144단 묻고 160단으로"…`낸드 고층 경쟁` 삼성 vs 인텔

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"144단 묻고 160단으로"…'낸드 고층 경쟁' 삼성 vs 인텔

디지털데일리 발행일 2020-07-09 10:39:03

김도현

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- 인텔, 144단 개발 완료…삼성, 7세대 낸드 하반기 출시

[디지털데일리 김도현기자] 낸드플래시 ‘적층 경쟁’이 현재진행형이다. 128단까지 도달한 가운데 차세대 낸드 공개가 임박했다. 삼성전자와 인텔은 연내 신제품을 출시할 예정이다.

9일 반도체 업계에 따르면 인텔은 144단 낸드 개발을 끝냈다. 현재 테스트를 진행하는 단계다.

인텔은 지난해 144단 낸드를 탑재한 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 출시한다고 밝혔다. 쿼드레벨셀(QLC) 기술을 적용, 범용인 트리플레벨셀(TLC)보다 한 셀에 많은 정보를 저장할 수 있게 했다.

인텔은 지난 1월 QLC 3차원(3D) 낸드 기반 SSD 1000만개 생산을 달성했다고 발표한 바 있다. 내부적으로도 낸드 사업을 강화하는 추세다. 당시 데이트 런델 인텔 디렉터는 “QLC 기술을 대규모로 출하하는 데 성공했다. QLC SSD의 효율적인 용량 수요가 높음을 인지했다”고 설명했다. 144단 제품이 출시될 경우 낸드 시장에서 존재감을 나타낼 전망이다.

삼성전자는 하반기에 160단 이상 7세대 수직구조 낸드(V낸드)를 공개한다. 개발에 상당한 진척을 이룬 것으로 알려졌다. 지난해 6월 양산을 시작한 6세대(128단) 제품을 잇는 차세대 낸드다.

삼성전자는 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step)을 도입, 300단 이상 V낸드를 만들 수 있는 기술을 갖췄다. 100단씩 3번만 쌓아도 300단이다. 적층 한계로 여겨진 200단을 넘어서는 결과다.

양사가 고층 경쟁에서 한발 앞서는 상황에서 경쟁사도 호시탐탐 자리를 노리고 있다. SK하이닉스는 지난해 개발 완료한 128단 4차원(4D) 낸드를 2분기부터 양산하고 있다. 4D 낸드는 전하를 부도체에 저장하는 CTF(Charged Trap Flash)와 주변부 회로를 적층한 PUC(Peripheral Under Cell) 기술을 결합한 제품이다. SK하이닉스는 차세대 제품으로 176단을 연구 중이다.

중국도 경쟁에 뛰어들었다. 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 지난 4월 128단 3D 낸드 샘플을 스토리지 컨트롤러 공급 업체에 제출했다. 컨트롤러와 호환이 가능하면 SSD에 투입할 수 있다. YMTC는 3분기부터 생산을 시작, 연내 128단 제품을 상용화할 목표다.

반도체 업계 관계자는 “메모리 업체들이 낸드 단수를 지속 높이면서, 적층 한계가 새로 정의되고 있다”며 “어느 시점이 되면 다른 방식으로 낸드 성능을 올리겠지만, 당분간 쌓는 형태로 낸드가 진화해나갈 것”이라고 분석했다.

한편 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2020년 1분기 전 세계 낸드플래시 매출액은 135억8000만달러(약 16조7794억원)다. 전기대비 8.3% 상승했다. 업체별 점유율은 삼성전자(45억달러) 33.3%, 키옥시아(26억달러) 19.0%, 웨스턴디지털(21억달러) 15.3%, 마이크론(15억달러) 11.2%, SK하이닉스(14억달러) 10.7% 순이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr