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로옴, ‘저항 낮춘’ SiC MOSFET 개발

[디지털데일리 김도현기자] 로옴은 ‘1200볼트(V) 4세대 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(MOSFET)’를 개발했다고 17일 밝혔다. 자동차 파워트레인 시스템 및 산업기기 전원에 적합한 제품이다.

해당 제품은 독자적인 더블 트렌치 구조를 진화, 단락 내량 시간을 악화시키지 않는다. 트레이드 오프 관계도 개선했다. 기존품 대비 단위 면적당 ON 저항을 40% 저감했다.

스위칭 시의 과제였던 기생 용량을 대폭 삭감해 이전 대비 스위칭 손실을 50% 삭감하기도 했다.

한편 1200V 4세대 SiC MOSFET은 이달부터 베어 칩의 샘플 제공을 순차 개시했다. 향후 디스크리트 패키지로 샘플을 제공할 계획이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr
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