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로옴, ‘저항 낮춘’ SiC MOSFET 개발

디지털데일리 발행일 2020-06-17 19:16:53
김도현

[디지털데일리 김도현기자] 로옴은 ‘1200볼트(V) 4세대 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(MOSFET)’를 개발했다고 17일 밝혔다. 자동차 파워트레인 시스템 및 산업기기 전원에 적합한 제품이다.

해당 제품은 독자적인 더블 트렌치 구조를 진화, 단락 내량 시간을 악화시키지 않는다. 트레이드 오프 관계도 개선했다. 기존품 대비 단위 면적당 ON 저항을 40％ 저감했다.

스위칭 시의 과제였던 기생 용량을 대폭 삭감해 이전 대비 스위칭 손실을 50％ 삭감하기도 했다.

한편 1200V 4세대 SiC MOSFET은 이달부터 베어 칩의 샘플 제공을 순차 개시했다. 향후 디스크리트 패키지로 샘플을 제공할 계획이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr

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