삼성전자, D램-낸드 신기술 선도…SK하이닉스·마이크론·도시바 추격

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삼성전자, D램-낸드 신기술 선도…SK하이닉스·마이크론·도시바 추격

디지털데일리 발행일 2019-10-27 17:56:03

김도현

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[디지털데일리 김도현기자] ‘메모리 1위’ 삼성전자가 초격차 전략을 이어간다. D램과 낸드플래시 분야 신기술을 선도하고 있다. 추격자 SK하이닉스, 마이크론, 도시바 등은 뒤이어 신공정을 확보하며 뒤쫓고 있다. 메모리 재고가 줄어들면서, 업체 간 기술 경쟁을 심화될 전망이다.

최근 삼성전자는 미국 실리콘밸리 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 ‘삼성테크데이 2019’를 개최했다. 이 자리에서 차세대 반도체 제품과 신기술을 대거 선보였다.

메모리 제품이 눈에 띈다. 이번 행사에서는 ▲3세대 10나노급(1z) D램 ▲7세대(1yy단) V낸드 ▲PCIe(Peripheral Component Interconnect express) 젠5 솔리드스테이트드라이브(SSD) ▲12기가바이트(GB) 멀티칩 패키지(uMCP) 등을 공개했다. 업계 최초, 역대 최대 등의 수식어가 붙는 제품들이다.

D램에서는 공정의 미세화를 이끌고 있다. 현재 대세는 10나노급이다. 10나노미터는 100억분의 1미터(m)다. 10나노급 D램은 공정에 따라 1세대(1x), 2세대(1y), 3세대(1z)로 구분된다. 각각 10나노대 후반, 중후반, 초중반 정도다. 정해진 기준이 없어 회사마다 다르지만, 1z는 14~16나노 수준이다.

삼성전자는 지난 3월 1z 공정 개발 성공, 지난 9월 양산에 돌입했다. 후발주자는 마이크론과 SK하이닉스다. 각각 D램 분야 3위, 2위 업체다. 마이크론은 지난 8월 1z 공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR(Double Data Rate)4 D램을 양산한다고 발표했다. 하이닉스는 지난 21일 1z 기술 개발 사실을 알렸다.

낸드 역시 삼성전자가 선제적으로 대응하고 있다. 100단 이상의 셀을 한 번 에 뚫는 단일 공정(1 Etching Step)을 개선, 적층 기술과 칩 면적을 최소화할 계획이다. 지난달에는 SSD 19종을 출시하며, 신기술을 과시했다.

낸드 업계 2위인 도시바는 지난 9월 대만 라이트온 SSD 사업 부문을 인수했다. SSD 분야를 강화할 전략이다. SK하이닉스는 지난 6월 128단 1Tbit(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4차원(4D) 낸드플래시를 개발했다고 전했다. 동일한 플랫폼으로 176단 4D 낸드 제품도 개발 중이다.

메모리 업체들의 기술 경쟁은 메모리 업황에도 긍정적이다. 기술 개발에 따른 원가 절감, 성능 향상 등은 시장 분위기를 바꿀 수 있다. 올해 메모리 업황은 부진하지만, 반등의 기미를 보이고 있다. D램 가격 하락세는 멈췄고, 낸드 가격은 반등했다. 재고 소진 속도도 빨라지는 것으로 알려졌다.

반도체 업계 관계자는 “삼성전자를 중심으로 메모리 업계 기술 향상이 계속되고 있다”며 “경쟁사들도 빠른 속도로 추격하는 만큼 업계 전반적인 분위기가 긍정적으로 흘러가고 있다”고 분석했다.

한편 시장조사업체 IHS마킷에 따르면 삼성전자의 3분기 글로벌 D램 시장점유율은 47%로 예상된다. 지난 2분기(43%)보다 늘어난 수준이다. 뒤이어 SK하이닉스(27%), 마이크론(22%) 순이다.

낸드에서도 삼성전자는 39%로 선두가 될 전망이다. 2위는 지난 6월 정전상태를 겪은 도시바(19%)다. SK하이닉스는 점유율 10% 차지할 것으로 보인다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr