삼성전자, 메모리·시스템반도체 ‘초격차’ 계속…테크데이 개최

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삼성전자, 메모리·시스템반도체 ‘초격차’ 계속…테크데이 개최

디지털데일리 발행일 2019-10-24 09:17:09

김도현

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[디지털데일리 김도현기자] 삼성전자가 초격차 전략을 이어간다. 메모리와 시스템반도체 신기술을 선보였다.

24일 삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 미국 실리콘밸리 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 ‘삼성테크데이 2019’를 열고, 차세대 반도체 솔루션을 제시했다.

3회째를 맞은 이번 행사는 ‘혁신의 동력이 되다’라는 주제로 개최됐다. 글로벌 정보기술(IT) 업체와 미디어, 애널리스트 등 500여명이 참석했다. 삼성전자 시스템 LSI사업부 강인엽 사장, 미주 지역총괄 최주선 부사장, 미주총괄 짐 엘리엇 전무 등이 차세대 기술을 발표했다.

삼성전자는 시스템반도체 부분에서 2개의 신경망처리장치(NPU) 코어로 인공지능 연산 성능이 향상된 고성능 모바일 애플리케이션프로세서(AP) ‘엑시노스990’, 5세대(5G) 이동통신 솔루션 신제품 ‘엑시노스 모뎀 5123’을 공개했다. 두 제품 모두 7나노미터(nm) 극자외선(EUV) 공정 기반이다.

엑시노스990은 삼성전자가 자체 개발한 프리미엄 빅코어 2개와 고성능 코어텍스-A76 미들코어 2개, 저전력 코어텍스-A55 리틀코어 4개 등이 탑재됐다. ‘트라이(Tri) 클러스터 구조’를 적용, 전력효율을 극대화할 뿐 아니라 성능도 기존 프리미엄 모바일 AP 대비 20% 향상됐다.

엑시노스 모뎀 5123은 5G 망을 단독 사용하는 SA모드(Stand Alone)와 롱텀에볼루션(LTE) 망을 공유하는 NSA모드(Non-Stand Alone)를 모두 사용할 수 있는 제품이다. 6기가헤르츠(GHz) 이하 5G 네트워크에서 기존 대비 최고 2배 빨라 업초당 5.1기가비트(Gb) 다운로드 속도를 구현했다.

메모리 부분에서는 ‘3세대 10나노급(1z) D램’과 ‘7세대(1yy단) V낸드 기술’, ‘PCIe(Peripheral Component Interconnect express) 젠5 솔리드스테이트드라이브(SSD) 기술’, ‘12기가바이트(GB) 멀티칩 패키지(uMCP)’ 등 신제품을 공개했다. 개발 중인 차세대 기술의 사업화 전략, 메모리 기술 한계 극복 방안 등도 언급됐다.

7세대(1yy) V낸드는 업계 유일 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정(1 Etching Step)을 더욱 개선한 적층 기술과 칩 면적을 최소화할 수 있는 기술을 접목한 제품이다. 내년 출시 예정이다.

최 부사장은 “인공지능(AI)·5G·클라우드/엣지 컴퓨팅·자율 주행 등 빠르게 변화하는 시장 트렌드에 최적화된 차세대 반도체 솔루션을 선보이게 돼 기쁘다”며 “앞으로도 더욱 혁신적인 반도체 기술 개발을 통해 미래 IT 산업 전반에 걸쳐 새로운 가능성을 여는데 기여할 것”이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 고객의 차세대 시스템 성능과 IT 투자 효율을 더욱 극대화하는 메모리 기술을 적기에 개발한다. 평택 신규 라인에서 차세대 라인업을 본격 양산, 고객 수요 증가에 차질 없이 대응해 나간다는 계획이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr