어플라이드, 차세대 메모리 ‘M램·Re램·PC램’ 개발 가속화

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어플라이드, 차세대 메모리 ‘M램·Re램·PC램’ 개발 가속화

디지털데일리 발행일 2019-09-03 14:44:40

김도현

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[디지털데일리 김도현기자] 어플라이드머티리얼즈(이하 어플라이드)가 메모리 신기술 개발에 속도를 높인다.

3일 어플라이드는 최근 차세대 메모리의 대량 생산에 적합한 새로운 시스템을 출시했다고 밝혔다. M램용 ‘엔듀라 클로버 물리기상증착(PVD) 플랫폼’과 PC램 및 Re램용 ‘엔듀라 임펄스 PVD 플랫폼’이다.

어플라이드는 “새로운 통합 소재 솔루션은 M램(Magnetic RAM), Re램(Resistive RAM), PC램(Phase Change RAM)에 사용되는 신소재가 양산 과정에서 원자 단위의 정밀도로 증착되게 한다”며 “이 플랫폼들은 기계 안에서 공장과 같은 역할을 한다”고 설명했다.

3가지 메모리는 사물인터넷(IoT) 디바이스와 클라우드 컴퓨팅 서비스에 성능, 전력 소모, 비용 측면에서 뛰어난 차세대 메모리로 꼽힌다. 다만 아직까지 양산에 많은 어려움이 따르는 신소재를 기반으로 제작된다.

M램은 저전력, 비휘발성이면서 상대적으로 속도가 빠르고 내구성이 높다. IoT 디바이스를 위한 차세대 메모리 후보로 부상하고 있다. 터널자기접합(MTJ)을 기반으로 하는 콤포넌트는 절연층으로 분리된 두 개 자성층으로 구성된다.

PC램과 Re램은 스토리지급 메모리로 사용될 수 있는 고속, 비휘발성, 저전력 고밀도 메모리다. 서버 D램과 스토리지 간 심화되는 가격 대비 성능 격차를 해소한다. PC램은 상변화 소재를 기반으로 한다. Re램은 퓨즈와 유사한 기능을 하는 신소재가 사용된다.

어플라이드는 M램 구현을 위해 5가지 소재별 초박막 레이어를 극도의 균일성과 매우 적은 에너지로 정밀하게 증착했다. 이를 통해 의도치 않은 소재 혼합을 방지하는 멀티 캐소드 PVD 챔버가 개발됐다. 클로버 M램 PVD 플랫폼은 전처리, 초저온 냉각, 고온 열처리에 온보드 계측을 통합한다. 모든 공정은 어플라이드 시스템 사상 최고 수준의 진공 상태에서 진행된다.

PC램과 Re램을 위한 엔듀라 임펄스 PVD 플랫폼은 진공 상태로 구성된 9개의 공정 챔버로 구성된다. 온보드 계측이 내장돼 정밀한 적층과 이들 메모리에 사용되는 여러 소재를 통제한다. 이는 양산 과정에서 높은 성능, 신뢰도, 내구성을 구현하는데 핵심이다.

어플라이드는 “인공지능(AI) 컴퓨팅 시대로 진입하면서 기존 메모리의 지속적인 개선과 차세대 메모리에 대한 관심도 높아지고 있다”며 “자사는 M램, PC램, Re램을 위한 새로운 통합 소재 솔루션을 통해 산업 단위의 혁신적 컴퓨팅 솔루션이 가능하도록 지원할 것”이라고 말했다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr