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램리서치, AI·ML 분야 강화…칩 밀도 높이는 솔루션 도입

[디지털데일리 김도현기자] 반도체 장비업체 램리서치가 인공지능(AI)과 머신러닝(ML) 분야를 강화한다.

13일 램리서치는 AI와 ML 부문에서 칩 메모리 밀도를 높이는 데 필요한 새로운 솔루션을 추가했다고 밝혔다. 후면 증착용 ‘VECTOR DT’와 후면 및 베벨 박막 제거용 ‘EOS GS 습식 식각’의 도입을 통해 웨이퍼 스트레스 관리 제품 포트폴리오를 확장했다.

램리서치는 “3차원(3D) 낸드 제조에서 웨이퍼 보우의 제어 솔루션을 제공하는 VECTOR DT 시스템은 플라즈마 화학기상 증착법(PECVD) 라인에 최근 추가된 제품”이라며 “VECTOR DT는 웨이퍼 전면에는 닿지 않고 후면에 가변 카운터 스트레스 박막을 증착, 웨이퍼 형상을 관리하는 단일 단계 솔루션”이라고 설명했다.

이를 통해 리소그래피 결과는 향상되고, 보우로 인한 결함은 줄어든다. 고성능 하이 스트레스 박막 적용까지 가능해진다.

램리서치는 카운터 스트레스 박막 증착과 3D 낸드 제조과정에서 웨이퍼의 스트레스를 유연하게 조정하도록 후면 박막 제거 기술도 제공한다. 램리서치의 EOS GS 습식 식각 제품은 VECTOR DT를 보완한다. 후면과 베벨 박막을 동시에 제거, 습식 식각 균일성을 구현한다. 웨이퍼 전면 역시 보호한다.

세샤 바라다라잔 램리서치 부사장은 “자사 고객들이 메모리 셀 층의 수를 크게 늘리고 있어 누적 스트레스와 웨이퍼 보우가 리소그래피 장비의 한계를 초과할 수 있다”며 “목표 수율을 달성하고 비트당 비용 로드맵을 실현하려면 스트레스로 인한 변형을 최소화하는 것이 관건”이라고 강조했다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr

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