[디지털데일리 김도현기자] 글로벌 반도체 업체 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 중고속 애플리케이션(앱)에서 효율성과 성능을 향상시키는 제품을 내놓았다.
2일 ST는 최신 TFS(Trench Field Stop) 기술을 활용한 650볼트(V) 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 시리즈 HB2를 출시했다고 밝혔다.
해당 시리즈는 포화전압(VCEsat)이 1.55V로 낮아서 전도 성능이 뛰어나다. 아울러 낮은 게이트 전류에서 신속한 스위칭을 지원하는 게이트 차지가 감소해 동적 특성이 한층 강화됐다. 열 성능도 탁월해 안정성과 전원 밀도를 극대화하게 해주는 등, 시장에서 매우 경쟁력 있는 신제품이 됐다.
HB2 시리즈의 IGBT들은 전정격 또는 반정격 다이오드나 우발적인 역 바이어스 방지를 위한 보호 다이오드 중에서 선택할 수 있어, 특정 앱에 맞게 동작을 최적화할 수 있다.
<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr
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