삼성전자, 세계 최초 3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램 개발

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삼성전자, 세계 최초 3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램 개발

디지털데일리 발행일 2019-03-21 12:17:02

윤상호

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- 2019년 하반기 양산…2020년 차세대 D램 공급

[디지털데일리 윤상호기자] 삼성전자가 D램 세계 최초 행진을 이어가고 있다.

삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.

2세대 10나노급(1y) D램 양산 16개월만이다. 3세대 10나노급(1z) D램은 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않았다. 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상했다. 속도 증가로 전력효율을 개선했다. 글로벌 중앙처리장치(CPU) 업체 평가 항목 승인을 완료했다.

삼성전자는 이 제품을 하반기 양산한다. 2020년에는 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 공급할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실 이정배 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.

한편 삼성전자는 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 확대하고 있다. 차세대 D램 등 양산도 평택에서 할 예정이다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr