국제반도체장비재료협회(SEMI)는 최근 발간한 글로벌 팹(Fab) 전망 보고서에서 2016년과 2017년에 19곳에서 신규 팹과 반도체 라인건설을 한다고 발표했다.
반도체 팹 투자는 2016년 더딘 시작을 보였지만 연말에는 활기를 찾을 것으로 보인다. 2016년은 그 전해에 비해1.5%의 성장을, 2017년은 그보다 훨씬 높은 13%의 성장을 전망한다.
팹 장비 투자규모는 2015년 2% 하락했다. 하지만 3D 낸드플래시와 10나노 공정 및 파운드리 분야의 장비투자는 2016년 360억달러로 1.5% 높아질 것으로 보인다. 2017년은 407억달러로 13% 성장이 예상된다. 반도체 장비 투자는 첨단 기술 도입을 위해 기존 팹/라인에, 그리고 지난해 새로 지었던 팹/라인에 이루어질 전망이다.
웨이퍼 제조 팹과 관련된 프로젝트는 총 19개이며 이 가운데 300mm 팹/라인은 12곳, 200mm는 4곳, 발광다이오드(LED) 팹(50mm, 100mm, 150mm)은 3곳이다. 이에따라 LED를 제외한 300mm 크기의 웨이퍼는 2016년 월별 21만 WSPM(Wafer Starts Per Month), 2017년은 월별 33만 WSPM 생산이 기대된다.
<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com
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