삼성전자, 고난이도 TSV 적용한 4GB HBM2 D램 양산

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삼성전자, 고난이도 TSV 적용한 4GB HBM2 D램 양산

디지털데일리 발행일 2016-01-19 10:56:57

이수환

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삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 권오현, 윤부근, 신종균)가 차세대 ‘4기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램’을 본격 양산한다고 19일 밝혔다

HBM D램은 TSV 기술을 적용해 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존의 금선을 이용한 D램 패키지에 비해 데이터 처리속도를 크게 끌어올린 제품이다. TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎고 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.

이번에 양산한 HBM D램은 2세대 HBM규격(HBM2)을 만족하는 제품으로 기존 1세대 규격보다 2배 빠른 속도를 갖췄다. 작년 10월 ‘128GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈’을 양산하며 초고속 메모리 시장을 크게 확대한 지 2개월 만에 2세대 HBM D램 양산에 성공했다.

20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2 D램 4개로 이루어져 있으며 1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 적층하고 각 칩을 TSV 접합볼(Bump, 범프)로 연결한 구조다. 높은 대역폭으로 속도를 향상 시킬 수 있도록 기존 8기가비트 TSV DDR4보다 36배 이상 많은 5000여개의 구멍을 뚫는 고난이도 TSV 기술을 적용했다.

4GB HBM2 D램은 초당 256기가바이트의 데이터를 전송해, 현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4Gb GDDR5(9Gbps)보다 7배 이상 많은 데이터를 처리한다. 와트(W)당 데이터 전송량을 2배 높여 전력소비량도 크게 줄였다. TSV 기술을 적용한 적층 형태의 HBM2 D램은 그래픽카드 등에 탑재될 경우 평면상에 D램을 배열해야 하는 GDDR5 대비 D램 실장면적을 95% 이상 줄일 수 있다. 예컨대 8GB 그래픽카드에 8Gb GDDR5를 탑재할 경우 8개의 칩을 평면상에 넓게 배열해야 되지만 4GB HBM2 D램은 단 두개의 칩만으로도 구성이 가능해 그래픽카드에서 D램이 차지하는 공간을 대폭 줄일 수 있다.

삼성전자는 올해 상반기에 용량을 2배 올린 ‘8GB HBM2 D램’도 양산할 계획이며 차세대 초고해상도 그래픽카드에 최적의 솔루션을 제공할 것으로 기대된다. 향후 차세대 HBM 라인업을 더욱 확대해 초고속 컴퓨팅용 HBM 시장을 지속 선점하고 글로벌 IT 고객의 수요 증가세에 맞춰 HBM D램의 생산비중을 확대해 통해 네트워크, 서버 등 새로운 프리미엄 메모리 시장 성장세를 주도한다는 전략이다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com