삼성전자가 셀 하나에 3비트(bit)를 저장할 수 있는 트리플레벨셀(TLC) 낸드플래시를 스마트폰 내장 메모리용으로도 양산한다.
19일 삼성전자는 스마트폰용 eMMC 5.0 인터페이스를 적용한 TLC 방식 128기가바이트(GB) 낸드플래시를 본격 양산한다고 밝혔다. 최근 프리미엄 스마트폰은 내장 메모리 용량이 128GB인 제품이 주류로 떠오르고 있다. 삼성전자가 TLC 방식, eMMC 5.0 인터페이스를 적용한 128GB 낸드플래시를 양산함에 따라 이 비중은 크게 늘어날 것으로 보인다. 신제품은 기존 고성능 메모리카드(초당 90MB 전송)보다 3배 가까이 빠른 초당 260MB의 연속읽기 속도를 구현했다. 또한 10배 빠른 5000아이옵스(Input Output Per Second, IOPS)의 임의쓰기 속도와 4배 빠른 6000IOPS의 임의읽기 속도를 구현해 고해상도 동영상과 멀티태스킹 작업도 원활하게 처리할 수 있다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 전무는 “3bit 내장메모리 라인업으로 모바일 기기의 메모리 고용량화 트렌드를 주도할 것”이라며 “향후 성능과 용량을 더욱 높인 차세대 라인업을 선보여 모바일 고객사의 수요 증가에 차질 없이 대응해 나갈 것”이라고 말했다.
<한주엽 기자>powerusr@insightsemicon.com
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