P램 결합한 MCU 연내 첫 공개…차세대 메모리 본격 상용화 눈앞

실시간
뉴스

반도체

P램 결합한 MCU 연내 첫 공개…차세대 메모리 본격 상용화 눈앞

디지털데일리 발행일 2013-05-19 11:38:16

한주엽 기자

URL복사

- ST마이크로, 연내 90나노 공정 P램+MCU 첫 공개

[디지털데일리 한주엽기자] 유럽 최대 반도체 업체인 ST마이크로일렉트로닉스가 상변화 메모리(P램 혹은 PC램, Phase Change Random Access Memory)를 내장한 마이크로컨트롤러유닛(MCU)을 업계 최초로 선보일 예정이다.

P램은 물질의 상(相) 변화로 동작하는 차세대 메모리다. 물질의 상이 비결정에서 결정질로 변할 때 1비트를 얻는 방식으로 동작한다. 비휘발성이면서도 데이터 처리속도가 빠르고 내구성이 높은 것이 특징이다.

P램은 한국 삼성전자와 SK하이닉스도 연구개발(R&D)에 공을 들이고 있는 제품군이다. 삼성전자는 지난 2010년 노어플래시 메모리를 대체할 용도로 512MB 용량의 P램을 양산한 사례가 있다. SK하이닉스도 각종 반도체 학회를 통해 P램의 R&D 성과를 보고하곤 했다.

EE타임스는 17일(현지시각) ST마이크로가 연내 90나노 P램을 내장한 MCU 시제품을 선보일 예정이라고 보도했다. 쟝 마크 쉐리 ST마이크로일렉트로닉스 최고기술책임자(CTO)는 16일 웹캐스트로 열린 투자자 및 애널리스트 회견에서 “노어 플래시 대신 P램을 탑재한 MCU 시제품을 선보일 예정”이라며 “해당 제품은 2014년 고객들에게 전달될 것”이라고 밝혔다. ST는 지난 2000년 P램 R&D에 착수한 후 2005년 인텔과 공동으로 90나노 P램 기술을 개발키로 합의한 바 있다.

ST는 2016년에서 2017년 사이 28나노 제조 공정의 P램 생산에 돌입할 것이라고 밝혔다. P램은 기존 상보성금속산화막반도체(CMOS, Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 공정을 그대로 사용하기 때문에 생산 프로세스 전환에 큰 어려움이 없다. 쉐리 CTO는 “P램 공정은 28나노 하이케이메탈게이트(HKMG) CMOS 공정과 완벽하게 호환되기 때문에 관련 R&D 투자를 계속할 것”이라고 말했다. EE타임즈는 28나노 P램이 본격 양산되면 범용 및 보안, 차량용 MCU에 탑재될 수 있을 것이라고 관측했다.

고성능 MCU 공정 개발도 활발하게 이루어지고 있다. ST는 현재 55나노 임베디드 플래시(e플래시) 로직 공정으로 차량용 MCU를 생산하고 있다. e플래시 로직 공정은 시스템 반도체와 플래시 메모리를 하나의 칩(다이)에 동시 집적하는 기술이다. ST 측은 이날 발표에서 40나노 노어 플래시 메모리 기반의 e플래시 공정을 개발 중이라고도 밝혔다. 인피니언과 글로벌파운드리도 같은 공정을 개발하고 있다. 삼성전자의 경우 최근 45나노 e플래시 공정을 개발했다고 발표한 바 있다.

업계 관계자는 “이번 ST의 발표는 새로운 종류의 MCU 등장 외에도 차세대 메모리의 본격적 상용화를 알렸다는 점에서 의미가 있다”고 설명했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr