ST마이크로, 파워GaN 디바이스 양산 돌입

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ST마이크로, 파워GaN 디바이스 양산 돌입

디지털데일리 발행일 2023-07-24 11:02:00

김문기 기자

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ST마이크로, PowerGaN volume production. [ⓒ ST마이크로일렉트로닉스]

[디지털데일리 김문기 기자] ST마이크로일렉트로닉스는 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 모드(e-Mode, enhancement-Mode) 파워GaN HEMT(High-Electron-Mobility Transistor) 디바이스를 대량생산한다고 24일 발표했다.

파워 GaN 트랜지스터는 전원 콘센트, 충전기, 조명 시스템, 산업용 전원공급장치, 재생 에너지 애플리케이션과 자동차 전기화 등의 애플리케이션에서 향상된 성능을 제공한다.

이 제품군의 첫 번째 두 제품인 SGT120R65AL 및 SGT65R65AL은 PowerFLAT 5x6 HV 표면실장 패키지 기반의 650V 노멀-오프(Normally-Off) 특성을 가진 산업용 품질 등급의 G-HEMT이다. 이 디바이스들은 각각 15A 및 25A의 정격 전류와 25°C에서 75mΩ 및 49mΩ의 평균 온저항(RDS(on))을 제공한다. 3nC 및 5.4nC의 총 게이트 전하와 낮은 기생 커패시턴스로 턴온 및 턴오프 시 에너지 손실도 최소화한다. 켈빈(Kelvin) 소스 연결을 통해서는 게이트 구동을 최적화해준다.

2종의 새로운 GaN 트랜지스터는 전원공급장치와 어댑터의 크기 및 무게를 줄여주면서도 더 높은 효율성, 더 낮은 동작온도를 제공하고 수명을 연장해준다.

ST는 앞으로 수개월 안에 자동차 품질 등급 디바이스를 포함한 새로운 파워GaN 제품뿐만 아니라 고전력 애플리케이션을 지원하는 파워FLAT 8x8 DSC 및 LFPAK 12x12 등의 전력 패키지 옵션을 추가로 출시할 예정이다.

G-HEMT 디바이스는 보다 용이하게 GaN 와이드-밴드갭(Wide-Bandgap) 기반 전력변환 기술로 전환하도록 지원한다. 동급 실리콘 디바이스와 동일한 항복 전압(Breakdown Voltage) 및 RDS(on)을 지원하는 GaN 트랜지스터는 제로 역회복 전하(Reverse-Recovery Charge)로 총 게이트 전하 및 기생 커패시턴스를 낮출 수 있다.

파워FLAT 5x6 HV 기반의 SGT120R65AL 및 SGT65R65AL은 현재 이용 가능하며, 가격은 100개 구매 시 2.6달러(SGT120R65AL) 및 5달러(SGT65R65AL)이다.