코스텍시스, SiC 전력반도체용 방열 소재 개발

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코스텍시스, SiC 전력반도체용 방열 소재 개발

디지털데일리 발행일 2023-01-25 12:05:10

김도현

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- 현대차·LG마그나 등과 거래 중

[디지털데일리 김도현 기자] 코스텍시스가 차세대 차량용 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 고방열 스페이서를 개발했다고 25일 밝혔다. 회사는 해당 시제품을 국내외 기업에 전달한 상태다.

코스텍시스는 전력반도체 및 통신 분야 저열팽창 고방열 소재 전문기업으로 교보10호기업인수목적 주식회사와 스팩합병 상장을 추진 중이다.

코스텍시스는 기존 실리콘(Si) 반도체를 대체할 수 있는 SiC 반도체와 갈륨나이트라이드(GaN) 반도체 고방열 스페이스를 개발한 바 있다. 현재 현대자동차와 LG마그나 등에 시제품을 지속 납품하고 있다.

기존 Si 반도체는 동작 온도가 약 150도 이상이 되면 주요 기능을 상실한다. 이런 단점을 보완하기 위해 SiC 및 GaN 반도체가 주목받는다. 두 제품은 물질 특성이 우수해 150도 이상 고온에서도 동작이 가능하다.

아울러 SiC, GaN 반도체에서는 열팽창이 적으면서도 열전도율이 좋은 방열 소재로 칩 실장 기판의 써멀 매칭(Thermal Matching) 기술이 고려된다.

코스텍시스는 SiC, GaN 반도체와 써멀 매칭이 최적화된 저열팽창 고방열 소재 개발에 성공한 후 5세대(5G) 통신용 GaN 반도체의 무선주파수(RF) 패키지를 개발해 네덜란드 NXP를 비롯한 국내외 고객에 공급하고 있다.

최근 NXP에서 5G 통신용 GaN 반도체의 RF 패키지 수주가 본격화해 향후 차량용 고방열 스페이서 수요를 대비한 생산 시설 투자를 진행 중이다.

한규진 코스텍시스 대표는 “코스텍시스는 일본 등 선진사로부터 수입에 의존하던 SiC, GaN 반도체 필수 재료인 저열팽창 고방열소재 국산화에 성공했다”며 “향후 차세대 전력반도체 고성장에 맞춰 국내외 시장을 공략해 중장기적인 성장 동력을 만들어 갈 것”이라고 전했다.