로옴, 히타치에 SiC 모스펫·게이트 드라이버 IC 공급

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로옴, 히타치에 SiC 모스펫·게이트 드라이버 IC 공급

디지털데일리 발행일 2022-12-13 23:29:47

김도현

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[디지털데일리 김도현 기자] 일본 반도체 기업 로옴이 일본 자동차 부품사 히타치아스테모에 4세대 실리콘카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET) 및 게이트 드라이버 집적회로(IC)를 공급한다고 13일 밝혔다. 해당 제품은 히타치 전기차용 인버터에 채용됐다.

탈탄소 사회의 실현을 위해 자동차의 전동화가 가속화되 가운데 고효율로 소형 경량화된 전동 파워 트레인 시스템 개발이 추진되고 있다. 전기차의 경우 주행 거리 연장 및 탑재 배터리 소형화를 위해 구동 중핵을 담당하는 인버터 고효율화가 과제로 꼽힌다. 이에 SiC 파워 디바이스가 주목받고 있다.

로옴은 2010년 SiC 모스펫 양산 개시 이래 업계를 리드하는 SiC 파워 디바이스 기술 개발을 준비하고 있다. 특히 최신 4세대 SiC 모스펫은 단락 내량 시간을 개선해 업계 최고 수준 낮은 ON 저항을 실현한 디바이스다. 차량용 인버터에 탑재하면 IGBT 대비 6% 전비를 개선할 수도 있다.

히타치아스테모는 장기간에 걸쳐 자동차용 모터 및 인버터의 첨단 기술을 개발하고 있다. 인버터의 한차원 높은 성능 향상을 목표로 메인 인버터 회로부에 처음으로 SiC 파워 디바이스를 적용했다. 해당 인버터는 일본 자동차 메이커를 시작으로 2025년부터 국내외 자동차 메이커에 순차적으로 공급될 예정이다.