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TSMC, 美 파운드리 ‘5나노→4나노’ 변경…장비 반입식서 발표

- TSMC, 미국 고객 요청 반영…3나노 팹도 추가 예정


[디지털데일리 윤상호 기자] TSMC가 미국 반도체 수탁생산(파운드리) 생산시설(팹) 공정을 5나노미터(nm)가 아닌 4nm로 변경한다는 관측이 나왔다. 애플 등 고객사 요청 때문이다. TSMC는 미국에 3nm 팹 구축도 검토 중이다.

1일(현지시각) 미국 블룸버그에 따르면 TSMC 애리조나주 피닉스팹은 4nm 공정 시스템반도체를 생산한다.

TSMC는 이 팹을 당초 5nm 공정으로 계획했다. 12인치 웨이퍼 기준 월 2만장 생산능력(캐파)을 갖춘다. 오는 6일(현지시각) 장비 반입식을 개최한다. 조 바이든 미국 대통령 등이 참석한다. 바이든 대통령이 미국 내 반도체 제조사 팹을 찾는 것은 이번이 처음이다. 생산은 2024년 시작한다. 이 행사에서 4nm 공정으로 전환을 공식화할 것으로 보인다.

블룸버그는 “공정 변경은 애플 등 고객사 요구 때문”이라고 보도했다.

TSMC 고객사는 미국 반도체 설계(팹리스) 회사가 다수다. 퀄컴 엔비디아 AMD 애플 등 팹리스 상위권 업체는 모두 TSMC 고객사다. 이들은 미국에서 생산한 반도체를 쓰겠다는 의사를 표명한 상태다. 이들은 2021년부터 4nm 시스템반도체를 출시했다.

TSMC는 피닉스 제2 파운드리 팹 건설도 공언한 상태다. 이 팹은 3nm 공정을 제공할 전망이다.

한편 TSMC의 전략 변화는 삼성전자도 신경이 쓰이는 문제다.

삼성전자 파운드리는 세계 2위다. TSMC와 함께 미세공정 개발을 주도하고 있다. 삼성전자는 올해 세계 최초로 3nm 공정을 상용화했다. 삼성전자는 텍사스주 테일러시에 제2 파운드리 팹을 건설 중이다. 5nm 공정을 채용할 예정이었다. TSMC 대비 이전 공정이다. 맞대결인지 틈새를 노릴지 갈림길에 섰다.
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