SK실트론, GaN 웨이퍼 시장 진출

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SK실트론, GaN 웨이퍼 시장 진출

디지털데일리 발행일 2022-10-11 11:38:49

윤상호

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- 영국 IQE와 SCA 체결

[디지털데일리 윤상호 기자] SK실트론이 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 사업에 진출한다. GaN 웨이퍼는 차세대 전력반도체 소재로 주목을 받는다.

SK실트론(대표 장용호)은 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다고 11일 밝혔다.

IQE는 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션 공급사다. 양사는 GaN 웨이퍼 개발과 아시아 시장 마케팅을 협력할 방침이다.

GaN 웨이퍼는 실리콘(Si) 또는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼에 GaN 박막을 증착시키는 방식을 만든다. 기존 웨이퍼 대비 고전압 환경에서 전력 변환 효율이 높다.

업계에 따르면 GaN 전력반도체 수요는 2022년 2억7000만달러에서 2027년 20억달러로 연평균 49% 성장을 기대했다.

SK실트론 장용호 대표 “첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다”며 “IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다”고 말했다.