[컨콜] SK하이닉스, 1b D램·238단 낸드 개발 순항

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[컨콜] SK하이닉스, 1b D램·238단 낸드 개발 순항

디지털데일리 발행일 2022-04-27 11:44:55

김도현

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- D램 품질 이슈 발생…회사 “재발 가능성 줄였다”

[디지털데일리 김도현 기자] SK하이닉스의 낸드플래시 사업에 속도가 붙었다. 선제적 기술 도입, 솔리다임 효과 등이 맞물린 결과다. 다만 주력인 D램 분야가 성능 저하 문제로 삐끗했다.

27일 SK하이닉스는 ‘2022년 1분기 실적발표 및 컨퍼런스콜’을 실시했다.

이 기간 SK하이닉스는 한국채택국제회계기준(K-IFRS) 연결기준 매출액 12조1557억원 영업이익 2조8596억원으로 집계했다고 밝혔다. 매출액은 전기대비 1.8% 줄고 전년동기대비 43.1% 늘었다. 영업이익은 전기대비 32.2% 떨어지고 전년동기대비 115.9% 올랐다.

SK하이닉스는 현재 10나노미터(nm)급 5세대(1b) D램과 238단 낸드를 개발하고 있다. 회사는 “10nm급 4세대(1a) D램과 176단 낸드는 수율(완성품 중 양품 비율) 개선과 비중 확대가 이뤄지고 있다. 1분기에는 모바일 제품 위주로 판매가 이뤄졌다”며 “차세대 제품인 1b D램과 238단 낸드 연구 작업이 순조롭게 진행 중”이라고 설명했다.

SK하이닉스는 지난해 말 인텔 낸드사업부 인수 1단계 절차를 마무리했다. 자회사 솔리다임이 해당 부문을 담당하고 있다. 이번 분기부터 실적에 반영되면서 매출 상승 효과를 나타냈다. 이달에는 SK하이닉스 128단 4차원(4D) 낸드와 솔리다임 컨트롤러가 결합한 기업용(B2B) 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘P5530’을 출시하기도 했다.

낸드 시장에서 SK하이닉스는 경쟁사 대비 최신 공정 램프업이 잘 이뤄진다는 평가를 받는다. SK하이닉스는 “과거 낸드 후발주자로 힘들었으나 경쟁력 강화를 위해 선제적으로 ‘투 스택’ ‘PUC(Peripheral Under Cell)’ 등 새 기술을 적용했다”며 “당시 과도하다고 느껴졌으나 현시점에서 경쟁사는 관련 공정 도입에 어려움을 겪고 있다. SK하이닉스는 안정적인 테크 플랫폼을 구축한 상황”이라고 말했다. PUC는 셀 영역 하부에 셀 작동을 관장하는 주변부 회로를 배치해 효율을 높이는 방식이다.

메인 사업인 D램에서는 부정적 이슈가 발생했다. 과거 판매된 일부 D램에서 품질 저하 현상이 나타났다. 원인 분석을 끝내고 고객 협의를 거쳐 제품 교환 등 보상 절차를 진행하기로 했다. SK하이닉스는 관련 비용 3800억원 규모를 일회성 판매보증충당부채로 1분기에 회계 처리하기로 했다.

SK하이닉스는 “2020년에 D램 공정상에 일부 변화가 있었다. 당시 제작한 D램이 납품되고 1년 후인 2021년 중반부터 품질 이슈가 보고되기 시작했다”며 “품질 검증 과정을 강화했고 현재는 재발 가능성을 최소화했다”고 이야기했다.

아울러 “금액은 최대한 보수적으로 반영했다. 향후 실적이 추가 반영될 부분은 제한적”이라면서 “물량 측면에서도 수요공급에 영향을 줄 정도는 아니다. 이번 문제는 전사 프로세스 전반에 걸쳐 심도 있는 논의를 통해 개선 작업이 진행되고 있다. 향후 같은 문제가 반복되지 않도록 할 것”이라고 강조했다.

지난해부터 이어진 반도체 장비 리드타임(주문부터 납품까지 기간) 영향은 여전했다. SK하이닉스는 “장비 수급 문제로 1a D램과 176단 낸드 등 최신 제품 비중 확대에 일부 차질이 있을 수 있다”면서도 “전체 생산능력(캐파)은 생산성 향상 등으로 여파를 최소화하고 고객 수요 대응에 차질 없도록 할 것”이라고 전했다.