RFHIC, GaN 반도체 국산화 과제 참여…美·中과 경쟁

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RFHIC, GaN 반도체 국산화 과제 참여…美·中과 경쟁

디지털데일리 발행일 2021-05-03 17:35:28

김도현

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- SK실트론·LIG넥스원과 협업

[디지털데일리 김도현 기자] RFHIC가 질화갈륨(GaN) 반도체 국산화에 나선다. 정부 과제에 참여하게 됐다.

3일 RFHIC는 산업통상자원부와 국방부가 방위산업 소재·부품·장비(소부장) 업체 육성을 위해 진행한 엑스밴드(X-band) GaN 반도체 집적회로 국산화 과제에 선정됐다고 밝혔다.

X-band GaN 반도체 초고주파 집적회로(MMIC)는 한국형전투기(KF-X) 등에 장착되는 레이더에 적용하는 핵심부품이다.

RFHIC가 총괄사업자를 맡아 안정적인 과제 수행을 이끈다. SK실트론이 탄화규소(SiC) 기판 및 GaN 에피 제작을, LIG넥스원이 시스템 제작 및 검증을 담당한다.

RFHIC가 GaN 에피 구조를 설계하면 SK실트론이 SiC 기판 및 GaN 에피를 제작한다. 이를 활용해 한국전자통신연구원(ETRI) 반도체 공장에서 GaN MMIC 제작 및 모듈화하면 LIG가 테스트하는 구조다.

현재 SiC 소재에서 시스템까지 GaN 공급망을 구축한 국가는 미국과 중국 정도다. 제품화는 미국만 성공했다.

이번 과제는 X-band 외 쿠밴드(Ku-band), 카밴드(Ka-band) 등으로 확대할 수 있다. 28기가헤르츠(GHz)로 확장될 5세대(5G) 통신장비 및 위성통신에도 적용 가능하다.

RFHIC 관계자는 “정부가 추진하는 핵심 원천기술 과제를 국내 대기업 및 중소기업, ETRI와 긴밀하게 협력해 성공하겠다. 수출 경쟁력까지 확보할 것”이라고 설명했다.

한편 시장조사업체 마켓앤마켓에 따르면 X-band, Ku-band, Ka-band 등을 합산한 글로벌 MMIC 규모는 2019년 23억달러(약 2조6000억원)에서 2024년 44억달러(약 5조원)로 5년간 약 2배 성장이 기대된다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr