로옴, 150V 내압 GaN 디바이스 개발

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로옴, 150V 내압 GaN 디바이스 개발

디지털데일리 발행일 2021-04-08 13:25:49

김도현

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- 저소비전력 및 소형화 기여

[디지털데일리 김도현 기자] 일본 반도체 기업 로옴이 산업기기 및 통신기기 등 각종 전원 회로용으로 150볼트(V) 내압의 갈륨나이트라이드(GaN) 디바이스, 8V 게이트 내압 기술을 개발했다고 8일 밝혔다.

GaN 디바이스는 실리콘 디바이스 대비 낮은 저항과 고속 스위칭 성능이 특징이다. 기지국이나 데이터 센터 등 각종 스위칭 전원의 저소비전력화 및 소형화에 적합하다.

다만 게이트·소스 정격전압이 낮아 스위칭 시 정격을 넘는 오버슈트 전압이 발생해 디바이스의 신뢰성에 과제가 있었다.

로옴은 독자적인 구조를 통해 게이트·소스 정격전압을 일반적인 6V에서 8V로 높이는 데 성공했다. 이에 고효율이 요구되는 GaN 디바이스 채용 전원 회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰성화가 가능하게 됐다.

향후 로옴은 해당 기술을 사용한 GaN 디바이스의 개발을 가속할 방침이다. 오는 9월 제품 샘플을 출하할 예정이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr