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[삼성전자컨콜] 2021년 EUV 기반 1a D램·7세대 V낸드 개발 주력

디지털데일리 발행일 2020-10-29 10:40:29
김도현

[디지털데일리 김도현 기자] 29일 삼성전자는 ‘2020년 3분기 실적발표 컨퍼런스콜’을 통해 “3세대 10나노 공정(1z) D램과 6세대 V낸드 전환을 가속화할 것”이라며 “내년에는 극자외선(EUV) 4세대 10나노 공정(1a) D램 및 7세대 V낸드 개발에 주력하겠다”고 밝혔다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr

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