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[삼성전자컨콜] 메모리 EUV 도입, 공정 한계 극복 차원…1a부터 본격 적용

디지털데일리 발행일 2020-04-29 12:12:23
김도현

[디지털데일리 김도현기자] 29일 삼성전자는 ‘2020년 1분기 실적 컨퍼런스콜’을 통해 “메모리 라인에 극자외선(EUV) 도입한 것은 기술 선도 기업으로서 반도체 미세공정 한계를 극복하기 위한 차원”이라며 “현재 3세대 10나노급(1z) D램에 적용 중인데 4세대 10나노급(1a) 공정부터 본격 적용할 것”이라고 설명했다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr

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